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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現，助力推動了快充產品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
晶體管的主要材料是半導體材料，這些材料在導電性能上介于導體和絕緣體之間，具有獨特的電子結構和性質，使得晶體管能夠實現對電流的有效控制。以下將詳細探討晶體...
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及...
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細，...
氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優勢也推動...
氮化鎵具有許多內在材料優勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉換性能優勢，因為其無反向恢復...
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半...
LED的發光過程主要包括載流子注入和復合兩個步驟。當外加電壓施加在LED的正向偏置端時，電流通過LED的正向偏置結并注入到半導體材料中。
當前流行的主流充電器和電源頭都是采用“開關型”的電源模式，其核心的輸出效率和負載能力（輸出電流大小，恒壓）瓶頸就在內部集成的開關管的頻率。
除了業界已經采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...
氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續獲得關注，但氮化鎵技術仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質因數還有很大的提升空間，但GaN...
擁有能夠在高頻下高功率運行的半導體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優勢，但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。
發光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉化為可見光。它由半導體材料制成，是一種先進的光電器件。本文將詳...
為何及如何將氮化鎵場效應晶體管用于高效、高電壓、開關模式電源應用
作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯 面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通...
近年來，隨著移動設備的普及和科技的不斷進步，人們對于充電速度和電池續航能力的需求也越來越高。PD快充和氮化鎵的出現，對于滿足人們對于充電速度和電池效能的...
Vivo是一家知名的中國智能手機制造商，其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區別。本文章將介紹這些區別，內容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...
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