氮化鎵GaN充電器中同步整流的應(yīng)用

整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋N...

2020-04-07 標(biāo)簽：氮化鎵同步整流MPS 1.3萬(wàn) 0

氮化鎵充電器有什么優(yōu)點(diǎn)？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來(lái)看這個(gè)充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個(gè)USB Type-C輸出接口和1個(gè)USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標(biāo)簽：充電器asic氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國(guó)防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...

2022-03-10 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 1.1萬(wàn) 0

硅基氮化鎵工藝流程

硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過(guò)各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...

2023-02-11 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵硅基 1.1萬(wàn) 1

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1.0萬(wàn) 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 1.0萬(wàn) 0

氮化鎵的技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)及在無(wú)線基站中的應(yīng)用分析

用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的...

2020-02-12 標(biāo)簽：無(wú)線基站氮化鎵 9737 0

通過(guò)單片GaN集成提高性能，同時(shí)減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 （GaN） 異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽：emi雷達(dá)柵極 9575 0

iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2023-06-12 標(biāo)簽：電源晶體管PFC 9472 0

淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線

　通過(guò)種種信息，我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場(chǎng)持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開(kāi)發(fā)出來(lái)的，從剛開(kāi)始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...

2023-02-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 9318 0