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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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高保真聲音再現發燒友是氮化鎵（GaN）基本質量的最新受益者，因為它使這些發燒友在充滿挑戰的環境中得到了喘息。GaN解決了他們關于最佳家庭音頻設置構成的難...
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換...
基于GaN晶體管的500W電機驅動方案 GaN和汽車究竟是什么關系
電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅動的電機驅動系統進軍。但這個市場非常保守，適應新技術的速度很...
硅制造技術已經足夠成熟，可以大規模生產直徑達18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍寶石基底（便宜但較大的晶...
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產10多年，除了性能和成本方...
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優勢
GaN晶體管支持大多數包含單獨功率因數校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉換器（兩個電感和一個電容）...
在實際的激光雷達系統中，傳統的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅動器實現提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導致寄生電容...
盡管基于硅的MEMS諧振器實現了高的時間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩定。
高可靠性，高性能氮化鎵功率轉換產品供應商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的...
基于增強型氮化鎵（eGaN?技術）的電源轉換器的優點，其現有數據中心和集中于低至1VDC負載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構解決方案。
系統級熱設計對于DC / DC轉換器的電氣規格同樣重要。越來越多的分布式電源架構（DPA）使用增加了熱設計的復雜性。
在實際的激光雷達系統中，傳統的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅動器實現提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導致寄生電容...
驗證電源半橋拓撲是否正確交叉導通的常用方法是使用兩個探針同時驗證高壓側和低壓側驅動信號之間的死區時間。
傳統上，線性和非線性RF電路仿真占據了不同領域。為了仿真級聯小信號增益和損耗，RF設備設計人員傳統上一直廣泛使用S參數器件模型。由于缺乏數字形式的數據（...
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應用。
業界正在考慮使用新的半導體工藝。基于氮化鎵（GaN）的芯片用于功率控制器和發射器與接收器之間的無線電鏈路。
利用氮化鎵場效應晶體管和LM5113半橋驅動器實現的功率及效率
但如何能夠產生所要求的快速變化、帶寬處于數十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過不同的方法來實現。其中一個方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
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