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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵元件一個很大的優勢在于它極快的開關速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結，因此在硬開關中，沒有相關的反向...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅動電源-常規雙極驅動程序 GaN GIT （G...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只...
目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現，助力推動了快充產品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們在特性上具有突出優勢。由于大的帶隙和高的熱導率，GaN器件可以...
2023-02-13 標簽：氮化鎵 695 0
氮化鎵是在高頻應用中實現高效運行的無可爭議的技術，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應用。SiC器件上的GaN可以為這些應用提供急需的高溫可靠性和...
二次離子質譜是利用質譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質譜儀可以進行包括氫在內的全元素...
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典...
從智能手機和電動汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們日常使用的電子產品的關鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設計...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產碳化硅及氮化鎵相關外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...
GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據說是新能源汽車市場，而非消...
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...
InnoSwitch3-AQ無需12V電源就可助力電動汽車高效運行
盡管車身裝備了最先進的電池組，但目前的常規電動汽車仍然使用鉛酸電池在電機關閉時為所有電氣子系統提供12V電源。
氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續波(CW)和脈沖放大器成為可能。
達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。
隨著第三代半導體材料的逐步應用，對頻率要求更高，據我們了解理想頻率應達到300KHz以上。對磁芯來說，您認為頻率應達到多少才會滿足需求？對磁芯的選材有什么要求？
2KW 48V雙向ACDC儲能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉換器，可實現單雙向工作。...
具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...
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