氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

氮化鎵(GaN)，作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...

2016-06-28 標(biāo)簽：安森美氮化鎵 GaN 2746 0

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能？

氮化鎵（GaN）晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)...

2016-06-06 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 GaN 2742 0

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標(biāo)簽：LCD 氮化鎵 GaN 2550 0

基于氮化鎵的LED具有更低成本效益

過去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司，已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron（愛思強(qiáng)）公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...

2012-07-31 標(biāo)簽：LED 氮化鎵晶片 1827 0

歐司朗新制造技術(shù)有望大幅降低LED生產(chǎn)成本

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。

2012-05-31 標(biāo)簽：歐司朗氮化鎵藍(lán)寶石襯底 1006 0

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深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司成立于 2006 年，如今已發(fā)展成為空間智能時(shí)代的技術(shù)、影像和教育方案引領(lǐng)者。成立十四年間，大疆創(chuàng)新的業(yè)務(wù)從無人機(jī)系統(tǒng)拓展至多元化產(chǎn)品體系，在無人機(jī)、手持影像系統(tǒng)、機(jī)器人教育等多個(gè)領(lǐng)域成為全球領(lǐng)先的品牌。
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空客更加舒適安全，因?yàn)榭湛捅ｋU(xiǎn)和飛機(jī)材料都是比較齊全和高質(zhì)量的。空客的機(jī)翼設(shè)計(jì)水平是比較高的，飄降能力較強(qiáng)，大量采用復(fù)合材料，飛機(jī)重量減輕，燃油消耗降低，但同時(shí)復(fù)合材料導(dǎo)電能力差，在云中容易遭受電擊
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系留無人機(jī)，又稱系留式無人機(jī)，為多旋翼無人機(jī)的一種特殊形式。系留一定是有電傳輸源源不斷的電源供電才稱為系留。
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