采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應用及優勢介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應用及優勢

2018-08-17 標簽：二極管氮化鎵碳化硅 6856 0

氮化鎵工藝制造流程

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優點，從而可以采用氮化鎵制作半導體材料，而得到氮化鎵半導體器件。 目...

2023-02-05 標簽：半導體氮化鎵GaN 6823 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優勢？

GaN：由鎵（原子序數 31） 和氮（原子序數 7） 結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。

2023-03-22 標簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導體 6706 0

氮化鎵mos管的優缺點有哪些

氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）。它具有許多優點和局限性，下面將詳細介紹這些優點和局限性。 優...

2024-01-09 標簽：半導體場效應管MOS管 6581 0

氮化鎵充電器和普通充電器對比哪個好

氮化鎵充電器和普通充電器對比各有優勢，不能直接判定哪個更好，氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設備，它們在充電速度、安全性、穩定性等方面都存在差異...

2024-01-10 標簽：電流充電器氮化鎵 6329 0

氮化鎵是什么晶體,是離子晶體還是原子晶體

氮化鎵是一種化合物，化學式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結構和優異的物理化學性...

2024-01-10 標簽：晶體電子器件半導體材料 6311 0

氮化鎵材料具有哪些優勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體即寬帶隙半導體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優異性能，滿足了節能減排等國家重大戰略需求，智...

2023-02-15 標簽：半導體氮化鎵GaN 6130 0

在氮化鎵技術中，熱設計與電氣設計同等重要

為管理今天的熱設計，電路設計人員讓熱量在半導體表面擴散，增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是，熱設計不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙，因為...

2018-01-04 標簽：氮化鎵電氣設計熱設計 5933 0

氮化鎵基礎知識

氮化鎵復合物由鎵和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。纖鋅礦晶體結構(圖1-1)是一種六邊形結構，其特征是有兩個晶格常數(圖中標記為a 和 c)。

2022-08-24 標簽：放大器射頻氮化鎵 5850 0

為什么選擇氮化鎵？淺談氮化鎵在數據中心的應用

對于服務器，這通常是空調房間中的AC到12 V DC，而對于傳統的低功能（例如，僅語音）電信系統，這是遠程潮濕的“蜂窩塔”，需要AC進行“防腐蝕” ，負...

2021-03-21 標簽：電源轉換器氮化鎵 5776 0