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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵外延片生長工藝較為復雜,多采用兩步生長法,需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配...
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體, 氮化鎵主要還是用于LED(發光二極管),微...
移動通信標準5G開發基于氮化鎵(GaN)的經濟高效的高性能技術
基站是蜂窩網絡的連接點。它們記錄無線電小區的傳輸數據并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內的數據泛濫,基站技術需要滿足兩個標準:輸出功率需要提高,同時保持...
氮化鎵技術研究新進展,如何作為“電力電子應用中敏感探針”使用?
美國康奈爾大學,IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...
而GaN技術可以做到,因為它是目前全球最快的功率開關器件,并且可以在高速開關的情況下仍保持高效率水平,能夠應用于更小的元件,應用于充電器時可以有效縮小產...
小米氮化鎵充電器是一種新型充電器,它與傳統的普通充電器在多個方面有所不同。在這篇文章中將詳細討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區別。 首先,小米氮化...
氮化鎵(氮化鎵)是一種半導體材料,是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統。與硅基解決方案相比...
采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項
介紹 GaN功率集成電路提供超低電容,優良的開關特性,低RDS(ON),封裝在一個小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作,并支持高密度電源...
今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業市場。 GaN已經在大部分高功率軍事應用中站穩了腳跟,并且還抓住了...
拆解報告:SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器1A1C
SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規產品,采用黑色的收納盒包裝,相比同類產品更為精致,也可以方便用戶后續收納使用。
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...
新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅系統的中樞神經,管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統 PCU 使用硅基材料半導體制成,強電流與高壓...
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