使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案...

2023-11-16 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 9130 0

南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

功率密度的大幅提升離不開(kāi)第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運(yùn)行，且具有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...

2023-11-15 標(biāo)簽：MOS功率器件氮化鎵 360 0

一文解析氮化嫁技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...

2023-11-14 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)射頻功率器件 679 0

廈門(mén)大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

近日，廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展，相關(guān)成果以“Green Vertical-C...

2023-11-10 標(biāo)簽：激光器氮化鎵VCSEL 819 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開(kāi)關(guān)中，如電源、電機(jī)控制、工廠(chǎng)自動(dòng)化以及部分汽車(chē)電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1722 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 1.0萬(wàn) 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開(kāi)關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...

2023-11-02 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵GaN 720 0

什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

GaN近期為何這么火？如果再有人這么問(wèn)你，你可以這樣回答：因?yàn)槲覀冸x不開(kāi)電源。

2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)氮化鎵 5207 0

預(yù)匹配氮化鎵功放管參考應(yīng)用電路

基于D1A32 GaN器件設(shè)計(jì)的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵GaN 530 0

小米140W氮化鎵充電器拆解評(píng)測(cè)

PFC開(kāi)關(guān)管來(lái)自納微，型號(hào)NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及高精度無(wú)損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...

2023-10-31 標(biāo)簽：充電器DC-DC氮化鎵 1877 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...

2023-10-25 標(biāo)簽：寬帶氮化鎵GaN 1646 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...

2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵 1051 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問(wèn)題。

2023-10-20 標(biāo)簽：充電器晶圓氮化鎵 1456 0

氮化鎵晶體管簡(jiǎn)化大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)

叉車(chē)應(yīng)用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達(dá) 900 ARMS 電機(jī)相電流。通常，每個(gè)生產(chǎn)商都有一個(gè)平臺(tái)方法，并銷(xiāo)售按電...

2023-10-18 標(biāo)簽：逆變器微處理器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1521 0

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優(yōu)化設(shè)計(jì)

眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來(lái)可能。然而，在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿(mǎn)足EMC法規(guī)（例如EN55...

2023-10-16 標(biāo)簽：衰減器氮化鎵PFC電路 2350 0

氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電站等設(shè)計(jì)...

2023-10-13 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動(dòng)器FET 726 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 2431 1

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 517 0