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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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本文檔介紹了D類音頻功放的典型設計，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎應用，并簡單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設計中，相較于硅基器件所帶來的優勢。
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材質上比普通的快充更加的高級，氮化鎵是第三代半導體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優勢。
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