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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優點：
LED（發光二極管）已經成為了現代照明和電子領域的主力軍，因為它們不僅具有高效能、長壽命和低能耗等優點，還能夠發出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperi...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）
提高效率既是行業的關鍵性挑戰，也是創新驅動力。社會需求的壓力和相關法規都在要求提高電源轉換和控制的效率。對于一些應用來說，電源轉換效率和功率密度是贏得市...
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術語，通常用來描述一個系統或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩定性或可靠性。
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
在上周的推文中，我們回顧了半導體材料發展的前兩個階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...
GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...
如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...
氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數高、開關頻率高、抗輻射能力強等優點。 其中，高開關頻率意味著應用電路...
15 V 至 350 V 范圍內的氮化鎵 （GaN） 異質結場效應功率晶體管已被證明在功率轉換、電機驅動和激光雷達脈沖光等應用中在效率、尺寸、速度和成本...
傳統的安規Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安...
氮化鎵（GaN）功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進...
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電...
納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護...
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢？貼片Y電容有什么優點？
在以前，很多手機充電器都會用到安規Y電容，不過用的都是插件形式的，現在情況明顯不一樣
ST推出內置氮化鎵MOS的緊湊型控制芯片VIPERGAN65，尺寸為5*6mm，支持PD快充和緊湊型電源，提供OVP、OTP、OLP、Brown-in、...
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