99元65W超值，首款內(nèi)置中國芯氮化鎵快充深度拆解！

2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發(fā)，目前已經(jīng)開始滲透到手機(jī)和筆記本等電子設(shè)備的配件市場，并且市場容量增長迅速。據(jù)充電頭網(wǎng)了解，目前華為、小米、三星、OP...

2020-06-16 標(biāo)簽：充電器中國芯氮化鎵 3895 0

氮化鎵激光芯片用途

氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵...

2023-11-24 標(biāo)簽：芯片衛(wèi)星通信氮化鎵 3845 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵...

2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵金屬晶格 3788 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導(dǎo)體探測器

華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測器。

2018-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3771 0

華為氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別在哪

華為氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多差異。氮化鎵（GaN）技術(shù)是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，GaN具有更高的能效和更小的尺寸。華為作為一...

2024-01-10 標(biāo)簽：充電器華為氮化鎵 3643 0

在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實(shí)現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管

雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實(shí)調(diào)制了漏極電流（高達(dá)1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...

2018-12-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 3638 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵，是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 3610 0

氮化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景圖分析

GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍(lán)寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封測以及應(yīng)用。各個(gè)環(huán)節(jié)國內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻...

2022-09-07 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 3597 0

氮化鎵屬于無機(jī)非金屬材料嗎

　　20世紀(jì)40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機(jī)非金屬材料，與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 3555 0

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是什么晶體類型

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...

2023-11-24 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶體 3442 1