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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
切割出片數量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數量增加了37.5%。
到2030年，10類關鍵核心產品可靠性水平達到國際先進水平，可靠性標準引領作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務機構和可靠性專業人才，我國制造業可靠性整體...
GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據說是新能源汽車市場，而非消...
作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數據中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現節能減排起著關鍵作用。
三菱電機開發出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機采用單個GaN功率放大器實現4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統寬帶運行 將有助于實現無線電單元共享和基站節...
拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內置協議芯片和降壓轉換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...
45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因為使用了合封氮化鎵芯片，所以電路設計很簡潔，降低設計和加工成本，整套方案性價比不錯，且各輸入輸出電壓和各個負載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達93.6...
作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地...
目前，許多企業在SiC MOSFET的批量化制造生產方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優勢
大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是，電力電子行業中的硅MOSF...
智融科技是國內較早進入高集成移動電源快充SOC芯片設計領域的公司之一，所推出的移動電源芯片具有接口支持多，協議支持全面，內部集成開關管等控制邏輯，支持數...
氮化鎵元件一個很大的優勢在于它極快的開關速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結，因此在硬開關中，沒有相關的反向...
超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...
第三代半導體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發展推動了功率器件尤其是半導體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板...
一種是通過生長碳化硅同質外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質外延...
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