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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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Transphorm：氮化鎵應用進一步擴展，2024年下半年半導體市場將回暖
正值歲末年初之際，回顧過去的2023年，半導體產業整體處于下行周期，各大應用領域的市場表現并不理想。那么復盤2023年的半導體產業狀況，能夠發現哪些細分...
針對工業和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相...
隨著越來越多的中國設備企業在歐美地區設立分部或基地，國產鋰電化成分容設備在海外市場滲透率將上升。
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發有效的散熱方法。
2023年，半導體市場的逆風周期仍未過去，企業收并購的腳步卻不曾停歇。根據公開的信息，《中國電子報》記者梳理了23樁半導體領域的國際收并購案例，發現20...
近日，國星光電作為A級單位參編發布的《2023碳化硅（SiC）產業調研白皮書》和《2023氮化鎵（GaN）產業調研白皮書》在行家說2023碳化硅&...
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領域具有廣闊的應用前景。
霍爾元件的工作原理及其在低速測量中的應用? 霍爾元件是一種常用的物理傳感器，可以測量磁場的強度和方向。它是通過霍爾效應來工作的，霍爾效應是指在導電材料中...
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。 通過選用 高功率體積小的氮化鎵芯片，搭...
2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設備。
據悉，本項目計劃在2025年實現竣工并投入運營。它是省級重點項目，旨在建立高端的化合物半導體光電子研發制造平臺，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...
先前，Nothing Phone憑借著透明后蓋機身+LED燈帶設計，引起廣泛熱議吸引了不少的熱度。
當前各種氮化鎵技術正在加速向200mm過渡，以期降低生產成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導體技術在混合型和全電動汽車、消費電子產品、智能手機以及其他產品的制造...
GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子...
據晶湛半導體消息，晶湛半導體業界公認的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創業。國際先進的氮化鎵外延材料開發和產業化基地
第三代半導體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、良好的化學穩定性等特點，被業內譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件...
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