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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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近日,行業媒體一則消息引起了我們的關注,2021年蘋果公司將會推出基于氮化鎵功率器件的大功率USB PD快充,與目前基于硅的充電器相比,該產品體積更小、...
基于氮化鎵場效應晶體管的EPC9144演示板具備快速轉換性能
EPC9144演示板內的車規級EPC2216氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達28 ...
前言 氮化鎵技術在消費類電源領域的大規模商用,帶來了電源配件產品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性,體積小巧、更加便攜的高密度快充...
2020年2月13日,小米召開了疫情以來首場重磅線上發布會,正式發布了小米10旗艦產品,同時也發布了一款明星配件產品:65W氮化鎵充電器。
12月28日,阿里巴巴達摩院發布2021十大科技趨勢,為后疫情時代基礎技術及科技產業將如何發展提供了全新預測。 “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體迎...
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內...
根據充電頭網的消息,戴爾現已推出了旗下首款 90W 氮化鎵 PD 充電器,配備了三腳插頭,支持 90W PD 快充,還有一個 USB-A 接口,支持 5...
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規模應用,是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及,經過數年的發展,氮化鎵HEMT器件早已被...
AI的盡頭或是氮化鎵?2024年多家廠商氮化鎵產品亮相,1200V高壓沖進市場
電子發燒友網報道(文/劉靜)氮化鎵是最新的第三代半導體材料,最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成,2019年開啟在快充領域大規模商用。...
近日,招商證券在中國證監會官網披露關于南京國博電子股份有限公司(下稱“國博電子”)首次公開發行股票并在科創板上市輔導工作總結的報告。這意味著,繼1月份輔...
? ? 士蘭微再獲補助,這次是1495萬元? 12月29日,士蘭微發布公告稱,士蘭微及控股子公司士蘭集成、士蘭明芯與其他主體共同承擔的“硅基GaN器件與...
來源:《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破,在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優勢逐漸顯現。其中...
氮化鎵(GaN)是一種直接帶隙半導體,寬帶隙為3.4 eV(電子伏特),比砷化鎵(GaAs)寬2.4倍,比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...
Navitas受邀“上汽大眾”路演 創新型氮化鎵技術脫穎而出
納微半導體今天宣布受邀參加上汽大眾站“Winnovation:Wins In Innovation”路演,該路演于2019年6月28日舉行。
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