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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

臺(tái)積電開(kāi)發(fā)氮化鎵制程,往下一個(gè)領(lǐng)域發(fā)展

集微網(wǎng)消息,據(jù)臺(tái)灣先探投資周刊報(bào)道,隨著5G,電動(dòng)汽車(chē)時(shí)代的到來(lái),高頻高壓功率元件的需求大幅度增加,氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等半導(dǎo)體材料迎來(lái)了...

2020-03-01 標(biāo)簽:臺(tái)積電氮化鎵 2830 0

中圖科技凈利潤(rùn)暴跌超80%:營(yíng)收下降應(yīng)收賬款卻逐年劇增

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據(jù)其介紹,目前公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)、圖形化復(fù)合材料襯底(MMS),廣泛應(yīng)用于氮化鎵基LED芯片制造。公司建立了廣東省半導(dǎo)...

2021-04-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)LED芯片氮化鎵 2823 0

鋰電后段分容設(shè)備技術(shù)醞釀“變天”

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當(dāng)產(chǎn)品進(jìn)入成熟周期,在制造端實(shí)現(xiàn)極致節(jié)能、極致提效、極致降本,成為中國(guó)動(dòng)力電池企業(yè)提升核心競(jìng)爭(zhēng)力及全球話(huà)語(yǔ)權(quán)的必經(jīng)之路。

2023-05-30 標(biāo)簽:鋰電池動(dòng)力電池電源模塊 2809 0

什么是氮化鎵技術(shù)

什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族...

2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 2792 0

曝69W雙USB-C口氮化鎵充電器進(jìn)入試產(chǎn)階段 將支持VOOC等超級(jí)快充

此前,我們見(jiàn)過(guò)了30W、45W、65W的氮化鎵USB PD充電器,但都是單USB-C接口的,今天從供應(yīng)鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器,總功率69W。

2019-03-31 標(biāo)簽:充電器氮化鎵快充 2790 0

PN8213+PN8307P+AP2080的65W PD快充方案

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65W PD快充方案不但可以支持手機(jī)的大功率快速充電還可以支持20V輸出,可以為電腦充電,具有通用性好的優(yōu)點(diǎn),搭配氮化鎵,體積可以做到很小,驪微電子推出...

2022-06-20 標(biāo)簽:PD氮化鎵快充方案 2741 0

國(guó)外碳化硅大廠(chǎng):產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張 豐富的產(chǎn)品組合

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料,憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳...

2021-11-13 標(biāo)簽:MOSFET晶圓氮化鎵 2737 0

采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(2)

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氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(四)TI氮化鎵器件在無(wú)橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(下)

2019-04-03 標(biāo)簽:ti氮化鎵moseft 2731 0

氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)理想的電機(jī)逆變器功率損耗

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與開(kāi)關(guān)模式電源不同,三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器通常使用低開(kāi)關(guān)頻率;只有幾萬(wàn)赫茲。大功率電機(jī)尺寸較大,具有高電感繞組;因此,即使在低開(kāi)關(guān)頻率下,電流紋波也是可以接...

2017-04-26 標(biāo)簽:逆變器氮化鎵 2699 0

德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵的理由

在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。 我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中,進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是,話(huà)題始終圍繞著熱量,...

2019-01-01 標(biāo)簽:電子ti氮化鎵 2698 0

全球最大氮化鎵工廠(chǎng)正式建設(shè)完成

近日,英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開(kāi)始由廠(chǎng)房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠(chǎng)正式...

2020-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 2696 0

紅魔6S Pro怎么樣?紅魔6spro最新消息 正式發(fā)布165Hz刷新率+航天相變散熱材料

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最近關(guān)于未成年人游戲防沉迷規(guī)定引起了熱聊,然而在下半年的手機(jī)發(fā)布熱潮中,游戲手機(jī)紅魔在今天下午三點(diǎn)發(fā)布了新款設(shè)備紅魔 6S Pro,發(fā)布會(huì)前期雖然也透露...

2021-09-06 標(biāo)簽:智能手機(jī)AMOLED氮化鎵 2682 0

科學(xué)家合作研發(fā)出一項(xiàng)調(diào)節(jié)LED色彩的新技術(shù)

研究團(tuán)隊(duì)描述了通過(guò)簡(jiǎn)單改變向器件提供工作電流的時(shí)間順序,對(duì)基于氮化鎵的LED進(jìn)行顏色調(diào)節(jié)的可能性。

2019-05-08 標(biāo)簽:LED顯示屏氮化鎵 2675 0

III族氮化物的干法和濕法蝕刻

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第三族氮化物已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要,因?yàn)樗鼈兙哂挟惓8叩逆I能。綜述了近年來(lái)針對(duì)這...

2022-02-23 標(biāo)簽:發(fā)射器氮化鎵蝕刻 2659 0

小米上架33W氮化鎵充電器套裝

今天,小米推出了一款33W氮化鎵充電器套裝,售價(jià)79元。現(xiàn)已開(kāi)啟預(yù)約,將于2月25日10點(diǎn)首賣(mài)。

2021-02-23 標(biāo)簽:充電器氮化鎵小米 2659 0

就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開(kāi)展“云洽談”

當(dāng)前,多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項(xiàng)目落戶(hù)桂林,如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺(tái)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目等。

2020-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵智能制造 2641 0

探究氮化鎵在射頻電子中的應(yīng)用

近年來(lái),因?yàn)?5G 的應(yīng)用,大家對(duì)射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。 小編也認(rèn)為,GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿(mǎn)足性能和小尺寸要...

2021-06-18 標(biāo)簽:RF氮化鎵GaN 2621 0

氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別?有什么優(yōu)勢(shì)?

氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開(kāi)關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料,很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。

2023-09-11 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體氮化鎵 2614 0

紫米33W氮化鎵充電器延遲上架

日前,紫米公司發(fā)布致歉公告,表示ZMI 33W氮化鎵充電器,因不可抗力原因?qū)е聼o(wú)法如期上市,具體日期待定中,更新進(jìn)度會(huì)及時(shí)告與大家,望理解體諒。

2021-03-08 標(biāo)簽:充電器連接器氮化鎵 2593 0

倍思發(fā)布160W氮化鎵充電器

昨日晚間,倍思召開(kāi)了 2022 年春季新品發(fā)布會(huì),帶來(lái)20余款新品,隨即倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W,新品支持最新...

2022-04-19 標(biāo)簽:充電器氮化鎵倍思 2584 0

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編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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