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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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日前,紫米公司發(fā)布致歉公告,表示ZMI 33W氮化鎵充電器,因不可抗力原因?qū)е聼o法如期上市,具體日期待定中,更新進(jìn)度會及時告與大家,望理解體諒。
這里將建成國際前三的氮化鎵單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地
1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡稱“納維科技”)總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。 項(xiàng)目占地面積超14000平方米,總建筑面積超34000平方米...
5G服務(wù)耗電巨大,氮化鎵(GaN)技術(shù)來幫忙!
實(shí)際上,似乎某些運(yùn)營商正在考慮將收發(fā)器的數(shù)量減少到32T32R,甚至到16T16R,從而減小網(wǎng)絡(luò)容量,以降低不斷增加的功率需求。這在一定程度上是出于緩解...
安世半導(dǎo)體做客唯樣直播間!高產(chǎn)能巨無霸養(yǎng)成記首度公開!
汽車、5G、工業(yè)及電源、物聯(lián)網(wǎng)、移動可穿戴設(shè)備、消費(fèi)類電子、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域,世界上幾乎所有相關(guān)的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)都采用Nexperia的器件。
2020-08-10 標(biāo)簽:氮化鎵電子設(shè)計(jì)安世半導(dǎo)體 2571 0
納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性
圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...
格芯強(qiáng)化AI市場布局,收購泰戈?duì)柨萍嫉壖夹g(shù)團(tuán)隊(duì)
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向更高效、更綠色方向邁進(jìn)的背景下,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商格芯(GlobalFoundries)近日宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措——正式收購泰...
新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產(chǎn)
新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口,并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝,RC<0.4 Ω·mm;柵極采用...
9月4日,聚燦光電發(fā)布關(guān)于子公司簽署《投資合同書》的公告,將總投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片等產(chǎn)品。 公告顯示,聚燦光電...
第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導(dǎo)體材料,興起于二十世紀(jì)五十年代,帶動了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、...
2023-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 2504 0
群雄逐鹿!2021 GaN產(chǎn)業(yè)熱門事件盤點(diǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限,成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場快速起量的同時,還在...
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵晶體管的VIPer器件介紹
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-20 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵viper 2488 0
RF GaN領(lǐng)導(dǎo)廠商及新入局者的戰(zhàn)略和技術(shù)路線
Knowmade分析師檢索、篩選并分析了全球范圍內(nèi)截至2020年8月公布的6300多項(xiàng)專利,包括了500多個不同專利申請人提交的3000多個發(fā)明專利家族...
EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺, 旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng) 和加快產(chǎn)品
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Ta...
破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)剛剛過去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時,數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人...
2025-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 2442 0
在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門,其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低,與LDMOS相當(dāng),遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。
中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會,并受邀發(fā)表主題演講,與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...
宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET
充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了智融推出的65W餅干氮化鎵快充方案,這款方案采用了智融推出的初級主控芯片和降壓協(xié)議芯片,為固定電壓輸出,搭配二次降壓電路實(shí)現(xiàn)多口快充,...
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