臺鈴發(fā)布新型無線充電專利技術(shù)，InnoGaN正式進(jìn)軍電動車領(lǐng)域

臺鈴在天津展上重磅首發(fā)“奔跑的機(jī)器人”——N9超智版智能電動車，提出了擁有16項(xiàng)發(fā)明專利加持的氮化鎵有線+無線充電黑科技，臺鈴再一次驚艷業(yè)界，以技術(shù)創(chuàng)新...

2021-04-01 標(biāo)簽：電動車氮化鎵無線充電 1938 0

Qorvo全球CEO專訪：手機(jī)中哪些射頻器件會爆增？

“我們在未來的5G 射頻市場將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)，特別是運(yùn)營商最新要求的...

2016-08-02 標(biāo)簽：氮化鎵射頻器件5G 1937 0

納微半導(dǎo)體迅速擴(kuò)張芯片出貨量創(chuàng)歷史新高

納微半導(dǎo)體正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障，反應(yīng)了全球移動消費(fèi)電子市場正加速采用氮...

2021-02-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1937 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 1929 0

GaN越來越重要的原因有哪些

在早前于四川成都舉辦的 2021 中國西部微波射頻技術(shù)研討會上，Qorvo 基礎(chǔ)建設(shè)事業(yè)部高級銷售經(jīng)理 Kevin He 發(fā)表了一個題為《基于5G 基站...

2021-08-13 標(biāo)簽：氮化鎵5GQorvo 1928 0

外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制

外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對此我國外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制是中方...

2023-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵光刻機(jī) 1921 0

全球領(lǐng)先！納微半導(dǎo)體氮化鎵芯片出貨量超1300萬顆

納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。

2021-01-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率IC納微半導(dǎo)體 1903 0

氮化鎵mos管普通的驅(qū)動芯片可以驅(qū)動嗎？

氮化鎵mos管普通的驅(qū)動芯片可以驅(qū)動嗎？ 當(dāng)涉及到驅(qū)動氮化鎵（GaN）MOS管時，需要考慮多個因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常...

2023-11-22 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵驅(qū)動芯片 1889 0

Power Integrations推出LYTSwitch-6系列安全隔離型LED驅(qū)動器IC的最新成員

基于PowiGaN的LYT6078C IC集成了一個750V功率開關(guān)，可提供高達(dá)90W的無閃爍輸出，同系列的其他器件可提供高達(dá)110W的無閃爍輸出。包括...

2020-09-22 標(biāo)簽：驅(qū)動器功率開關(guān)氮化鎵 1875 0

納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場

氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以...

2022-05-05 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片GaN器件 1846 0

?國內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線正式投產(chǎn)

由于技術(shù)門檻較高，只有國際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問題， 2020年9月，颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新...

2023-04-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器氮化鎵 1843 0

Power Integrations榮獲“國際功率器件行業(yè)卓越獎”

Power Integrations，憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場表現(xiàn)，榮獲了“國際功率器件行業(yè)卓越獎”。這一榮譽(yù)不僅是對Power Int...

2024-01-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1839 0

納微半導(dǎo)體宣布全球首個氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾

氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管...

2022-03-29 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅功率芯片 1833 0