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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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目前市場上的電動車使用的是400V和800V的電池，標稱電流超過200安培。如果這些高壓和高電流連接到車身或任何導電部件上，可能會導致致命風險。為了防止...
德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵（GaN）功率半導體的生產。這一舉措，加上TI在德克薩斯州達拉斯已有的GaN制造業務，將使TI...
英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導體優化無線功率
英飛凌近日宣布與總部位于加拿大AWL-Electricity建立合作關系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供Coo...
9月，英飛凌宣布成功開發出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產2.3倍數量的芯片，技術和效...
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）十年前納微半導體作為氮化鎵行業的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費電子市場，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產品，也...
據悉，10 月 17 日， 中芯聚源私募基金管理（上海）有限公司 （以下簡稱“中芯聚源”）董事長高永崗、董事總經理趙滄波一行參觀考察武漢鑫威源電子科技有...
日本公司正積極投入大規模生產氮化鎵（GaN）功率半導體器件，旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動汽車功率半導體器件的應用上競爭...
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵功率半導體優化無線功率
10月16日，中國網絡空間安全協會發布了一篇題為《警惕！英特爾產品網絡安全風險凸顯，系統排查刻不容緩》的文章，讀后引人深思。若文章內容屬實，底層硬件芯片...
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導體優化無線充電功率
全球領先的功率系統與物聯網半導體供應商英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX， OTCQX： IFNNY）近期宣布與加拿大企業AWL-Elect...
集成之巔，易用至極！納微發布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，助力打造業界最快、最小、最高效的解決方案。...
近日，納微半導體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源...
ROHM擁有多年電源產品研發經驗，近年更以寬能隙半導體GaN產品線，提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導通電阻加上優異的高速開關性能，絕對值得您深入了解。
良工（lengon）是浙江寧波良工電器有限公司旗下電氣品牌，始創于1990年，其產品主要包括電源插座、轉換器、墻壁開關等。
根據Global Info Research電子及半導體項目團隊最新調研，預計2030年全球氮化鎵襯底晶圓產值達到305百萬美元，2024-2030年期...
9月19日，晶通半導體（深圳）有限公司（簡稱“晶通半導體”）正式宣布完成了總額達6000萬元人民幣的Pre-A輪融資，本輪融資吸引了賽富投資基金、知名天...
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）提升芯片產能的最顯著方式，就是擴大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后，繼續擴大晶圓...
碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應用 | 氮化硼高導熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG設備顯示出以下優點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...
英飛凌率先開發全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業變革
●憑借這一突破性的300mmGaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現有的大規模300mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率●300...
英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術， 推動行業變革
2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵（GaN...
40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發售！
誠芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級側兩到三顆芯片的功能，通過高集成...
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