英飛凌新推氮化鎵開關(guān)管驅(qū)動(dòng)芯片

隨著市場(chǎng)對(duì)高功率高電壓材料的需求增長(zhǎng)，全球第三代半導(dǎo)體材料開始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵 8660 0

氮化鎵(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快，同樣也是氮化物半導(dǎo)體...

2018-01-30 標(biāo)簽：氮化鎵晶片 8100 0

總投資10億元 百識(shí)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶南京浦口

近日，南京百識(shí)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“百識(shí)”）第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)（以下簡(jiǎn)稱“浦口經(jīng)開區(qū)”）。

2019-06-21 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體氮化鎵 8071 0

射頻氮化鎵領(lǐng)域的知識(shí)產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀

目前，有30多家廠商申請(qǐng)了與GaN MMIC相關(guān)的專利，其中，東芝和科銳擁有最重要的專利組合。科銳在該領(lǐng)域擁有最強(qiáng)大的專利布局，但作為后來者的東芝是Ga...

2019-04-11 標(biāo)簽：射頻氮化鎵半導(dǎo)體器件 8067 0

120W氮化鎵充電器拆解對(duì)比：看國(guó)產(chǎn)芯片如何征服大廠

因?yàn)檫@兩個(gè)充電器呢都是PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu)，因此我們可以對(duì)應(yīng)著相同功能部分來對(duì)比。先看一些被動(dòng)元器件，像保險(xiǎn)絲，NTC浪涌抑制電阻，安規(guī)電容，...

2022-12-14 標(biāo)簽：元器件充電器氮化鎵 7804 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口，但只有三年。”能訊半導(dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)，抓住5G基站建...

2018-10-19 標(biāo)簽：氮化鎵LDMOS 7745 0

意法半導(dǎo)體王巧娣：集成驅(qū)動(dòng)器的MasterGaN系列產(chǎn)品讓GaN產(chǎn)品開發(fā)更簡(jiǎn)單

目前GaN產(chǎn)品主要應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品當(dāng)中，但在未來五年中，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將在激光雷達(dá)、5G通信、新能源汽車、特殊行業(yè)、人工智能、數(shù)據(jù)中心以...

2021-04-22 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體電力電子氮化鎵 7629 0

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值20億元

據(jù)新華社報(bào)道，近日，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。

2019-05-21 標(biāo)簽：芯片氮化鎵能訊 7610 0

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對(duì)硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 7418 0

博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶嘉興科技城 總投資25億元

11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會(huì)副主任曹建弟，浙江博方嘉...

2019-11-08 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵 7167 0

氮化鎵遇到USB PD快充，氮化鎵充電器成為展會(huì)亮點(diǎn)

來自產(chǎn)業(yè)鏈的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2019年，搭載USB Type-C接口的設(shè)備出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到20億臺(tái)。其中USB Type-C在筆記本、臺(tái)式電腦中的滲透率將...

2019-04-25 標(biāo)簽：充電器適配器氮化鎵 7069 0

氮化鎵有什么用_氮化鎵的合成方法

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 7058 0

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的GaN F...

2018-10-30 標(biāo)簽：德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 7051 0

氮化鎵中使用光電化學(xué)刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)高縱橫比深溝槽的進(jìn)展

如果將PEC速率提高到175.5nm/min，則會(huì)導(dǎo)致表面變得粗糙。不過高速率的PEC技術(shù)可用于晶圓切割領(lǐng)域中。采用由90μm直徑的圓點(diǎn)組成的50nm厚...

2018-09-03 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 6971 0