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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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ANKER GaN技術充電器的第一款產品正式在國內上市,名叫ANKER PowerPort Atom PD 1,它支持USB PD快充,最大輸出達30W...
氮化鎵是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性,在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半...
ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題
近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰,ALLOS 應用其獨特的應變工程技術,展示了 200 mm 硅基氮化鎵 ...
小米10系列發布會讓氮化鎵充電器一舉捧紅,成為新晉網紅配件。小米的入局,可以說是極大地提高了氮化鎵的關注度。
由于對設計、制造業者來說,資金、良率、成本、技術等環節皆為投入GaN領域的考驗,因此早期多由歐美IDM業者開始發展,如今,已演變為業界擴大合作,加快產業...
2020-04-07 標簽:氮化鎵 2253 0
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
Maxim MAX2270x隔離式柵極驅動器在貿澤開售 具有超高共模瞬態抗擾性(CMTI)
MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產品,屬于單通道隔離式柵極驅動器,具有超高共模瞬態抗擾性 (CMTI),用于驅動各種逆...
康佳訂購AIXTRON MOCVD系統進入Micro LED試生產
與現有的LCD和OLED技術相比,Micro LED為消費類移動產品以及高端電視顯示器的設計提供了新的機遇。
氮化鎵(GaN)被譽為繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料,具有帶隙寬、原子鍵強、導熱率高、化學性...
貿澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板
貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。
倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點啟示
19年12月份,購買了一款 明星產品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產品。 京東上售價 268 元; 購買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...
Power Integrations發布新款InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關電源IC
PowiGaN技術以優異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負載條件下效率均可高達94%,其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩的地區使用時耐受輸入浪涌...
韓國成功開發出一種能夠替代氮化鎵生產藍光LED的新型LED材料 生產成本將更低
據BusinessKorea報道,韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個團隊成功開發出一種能夠替代氮化鎵生產藍光LED的新型LED材料。據悉,...
意法半導體宣布收購Exagan多數股權 氮化鎵制程技術將加速開發
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導體材料越來越受到市場重視,半導體企業正在競相加速布局。日前,意法半導體宣布已簽署收購法國氮化鎵創新企...
馬瑞利與Transphorm達成戰略合作 將進一步完善新能源汽車技術領域的布局
日前,汽車零部件供應商MARELLI(馬瑞利)與半導體公司Transphorm達成戰略合作。前者將獲得電動和混合動力車輛領域的的動力總成逆變器開發技術,...
2020-03-10 標簽:新能源汽車氮化鎵Transphorm 1090 0
使用銅鹵素化合物的半導體材料新技術可取代氮化鎵生產藍光LED
據韓國消息報道,韓國科學技術研究院(KIST)于日前宣布,一個KIST團隊已經成功開發出一種新的化合物,可以取代氮化鎵來生產藍光LED。
馬瑞利與半導體公司Transphorm攜手布局新能源技術領域
近日,汽車供應商MARELLI宣布與美國一家專注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作。
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