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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選
據(jù)悉,Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市,價格為 54.99 美元(369 RMB)。
為何現(xiàn)在進入氮化鎵射頻市場機會已經(jīng)不大?
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口,但只有三年?!蹦苡嵃雽w總經(jīng)理任勉表示
來自產(chǎn)業(yè)鏈的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示,2019年,搭載USB Type-C接口的設備出貨量預計將達到20億臺。其中USB Type-C在筆記本、臺式電腦中的滲透率將...
電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展 專利之爭全面開啟
隨著工業(yè)不斷地發(fā)展,截至2017年底,RF GaN市場產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元,2023年將達到13億美元以上。
ADI提供GaN IC產(chǎn)品,滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率范圍的全功率放大器。
為了產(chǎn)生綠光,LED制造商通常將磷光體或量子點轉(zhuǎn)換材料應用在天然藍色LED上。然后,這些材料將短波長(通常為450nm)藍光轉(zhuǎn)換為紅色或綠色波長,轉(zhuǎn)換效...
“創(chuàng)新從來都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強的道路上,未來還充滿了許許多多的坎坷險阻,還有很多需要解決的科學和技術難題。隨著碳化硅器...
目前,有30多家廠商申請了與GaN MMIC相關的專利,其中,東芝和科銳擁有最重要的專利組合??其J在該領域擁有最強大的專利布局,但作為后來者的東芝是Ga...
曝69W雙USB-C口氮化鎵充電器進入試產(chǎn)階段 將支持VOOC等超級快充
此前,我們見過了30W、45W、65W的氮化鎵USB PD充電器,但都是單USB-C接口的,今天從供應鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器,總功率69W。
AirFuel頒發(fā)技術領袖獎 表彰無線電力行業(yè)杰出貢獻者
2019年3月12日,由新一代無線充電技術領軍者AirFuel無線充電聯(lián)盟與天地互連聯(lián)合舉辦的“第二屆無線充電大會暨開發(fā)者論壇”在深圳蛇口南海希爾頓酒店...
可在25至300攝氏度的溫度范圍內(nèi)工作的氮化鎵存儲器
在可耐高溫的下一代電子產(chǎn)品方面,Zhao和他的團隊最近在IEEE Electron Device Letters上介紹了他們研發(fā)的可在25至300攝氏度...
美研究員設計出垂直集成氮化鎵LED結構,有助提升LED顯示器效率
美國羅徹斯特理工學院(Rochester Institute of Technology)的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構,有助于提高Mic...
是時候采用氮化鎵功率器件設計DC/DC轉(zhuǎn)換器了
很多工程師提問關于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導體,因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個...
2019-03-14 標簽:轉(zhuǎn)換器功率器件氮化鎵 6224 0
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好...
2019-03-12 標簽:氮化鎵 3.5萬 0
山大氮化鎵單晶襯底項目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學進行產(chǎn)學研合作,將氮化鎵單晶襯底實驗室成果實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點項目。項目總投資15億元,總建...
2019-03-08 標簽:半導體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.0萬 0
眾所周知,我國現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè),第三代半導體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件,自然也受到了重點關注。
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