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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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車規級eGaN?FET使得激光雷達系統看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠
宜普電源轉換公司(EPC)進一步擴大車規級氮化鎵產品系列 – 再多兩個產品成功通過國際汽車電子協會所制定的AEC Q101分立器件應力測試認證。
過去一些年,功率電子行業的工程師一直處于一個非常尷尬的境地,一方面他們無法在現有空間內繼續提高功率,但同時又不希望增大設備所需的空間。
Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些
氮化鎵(GaN)被業界稱為第三代半導體材料,應用范圍非常廣,包括半導體照明、激光器、射頻等,而用在充電器上可在超小體積上實現大功率輸出。
市場在引入新技術時,成本是需要考慮的關鍵因素之一,但目前成本不是GaN的優勢。GaN器件的主要競爭者是硅基MOSFET,后者已經上市多年,提供非常具有競...
Yole電力電子技術與市場分析師Ana Villamor與意法半導體功率RF和GaN產品部經理Filippo Di Giovanni會面,討論意法半導體...
在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。 我們幾個人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中,進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是,話題始終圍繞著熱量,...
耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”的研制成功,使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內領先的可提供具備長時可靠性的...
隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長,全球第三代半導體材料開始備受關注。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和...
與硅或者其他三五價器件相比,氮化鎵速度更快。GaN可以實現更高的功率密度。對于既定功率水平,GaN具有體積小的優勢。有了更小的器件,就可以減小器件電容,...
“完美電源開關”的飄然而至,進行了超過2000萬小時的設備可靠性測試
此外,2017年是電力電子行業振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1,它規范了GaN的可靠性和質量認證流程、數據資料表、參數以及...
在半導體層面上,硅基氮化鎵的主流商業化開啟了提高射頻功率密度、節省空間和提高能效的大門,其批量生產水平的成本結構非常低,與LDMOS相當,遠低于碳化硅基氮化鎵。
Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階...
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