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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產品組合可支持高達10kW的應用
德州儀器的GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性,來實現簡化設計,達到更高的系統可靠性和優化高壓電源的性能,為傳統級聯和獨立的GaN F...
“現在正處于從LDMOS轉到氮化鎵的時間窗口,但只有三年。”能訊半導體總經理任勉表示,在氮化鎵領域耕耘十二年,能訊半導體迎來關鍵時間節點,抓住5G基站建...
近日,北方華創微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導體公司批量采購訂單,訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機、SW GDE C200刻蝕機、 ...
如果將PEC速率提高到175.5nm/min,則會導致表面變得粗糙。不過高速率的PEC技術可用于晶圓切割領域中。采用由90μm直徑的圓點組成的50nm厚...
行業標準的收緊和政府法規的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如,數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3...
美國費城(IMS 2018) – 2018年6月12日 – 恩智浦半導體(納斯達克代碼:NXPI)擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體(Si-...
基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積。現在,一個來自伊利諾伊大學微納米技術實驗室的研究團隊創造了一種新的方法,他們聲稱該方法簡單而且低成本。
聚力成半導體項目落戶重慶 將有望突破我國第三代半導體技術瓶頸
11月13日,聚力成半導體(重慶)有限公司奠基儀式在重慶大足高新區舉行,該項目以研發、生產全球半導體領域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項擬投資50億元...
英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導體材料氮化鎵
在近日的業內電源展會上,英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應用,一款功率為65W的USB PD充電器。
TI推出業內最小、最快的GaN驅動器,擴展其GaN電源產品組合
德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅動器,進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品...
納微(Navitas)宣布GaNFast?功率IC應用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個用于全球范圍的超薄適配器可輕松...
本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細的逆向分析,包括器件設計、封裝技術、制造工藝、成本和價格預估等。這是我們第一發現帶有驅動器的半橋氮化鎵場效應晶...
維易科(VEECO)和ALLOS展示行業領先的200MM硅基氮化鎵性能,推動micro-LED的應用
Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)達成了一項戰略舉措,展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍/綠光mic...
氮化鎵(GaN)襯底晶片實現國產 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一
氮化鎵單晶材料生長難度非常大,蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導體的產業發展非常快,同樣也是氮化物半導體...
納微半導體 GaN功率IC實現 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器
納微 (Navitas) 半導體宣布推出世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 電源適配器參考設計,以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更...
氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場主流的硅功率器件均有顯著數量級的提升。例如,相比主流的硅基MOSFET、IGBT,氮化鎵功率器件的開...
MACOM展示“射頻能量工具包”:通過將高性能、高成本效益的硅基氮化鎵射頻系統用于商業應用,幫助客戶縮
2017年6月6日,馬薩諸塞州洛厄爾 – MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)今日宣布推出一款開發工具包,旨...
恩智浦慶祝射頻技術創新60周年;并在國際微波研討會上力推5G基站解決方案
火奴魯魯 – IMS 2017 – 2017年6月5日 –在6月4-9日舉行的國際微波研討會(International Microwave Sympo...
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