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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Nexperia斥資2億美元,布局未來寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天,半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動力,正迎來前所未有的發(fā)展機遇。近日,全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣...
淺談光耦與氮化鎵快充技術(shù)的創(chuàng)新融合
氮化鎵快充技術(shù)主要通過將氮化鎵功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中,以提高充電效率和充電速度。光耦技術(shù)作為一種能夠?qū)㈦娦盘栟D(zhuǎn)換成光信號并實現(xiàn)電氣...
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NV...
2024-06-21 標(biāo)簽:聯(lián)想氮化鎵納微半導(dǎo)體 1534 0
德州儀器發(fā)布高性能650V GaN IPM,革新電機驅(qū)動設(shè)計
德州儀器(TI)近日推出了一款具有劃時代意義的650V三相氮化鎵(GaN)集成電源模塊(IPM)——DRV7308,專為250W電機驅(qū)動器應(yīng)用量身打造。...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近期,作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書,正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后,終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了...
近日,無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices(CGD)發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵(GaN)功率器件,旨在推動電子器件...
CGD開發(fā)GaN,致力于打造更環(huán)保電子器件
位于英國劍橋市的無晶圓制造環(huán)保科技型半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices(簡稱 CGD)研發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,主...
納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)
在電力電子領(lǐng)域,納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日...
2024-05-30 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 624 0
臺亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)
臺亞半導(dǎo)體于近日成功召開股東會,會議通過了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計劃。這是繼兩年前臺亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后,再次...
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!
5月28日,青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽區(qū)科學(xué)與技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)、城陽區(qū)工業(yè)與信息化局...
基于SP9677M、6520和10R07的65W氮化鎵PD快充降低成本設(shè)計方案
在當(dāng)今電子設(shè)備高度普及的時代,快充技術(shù)已經(jīng)成為了許多消費者的必備選擇。隨著科技的不斷進步,快充技術(shù)也在不斷發(fā)展,其中65W氮化鎵PD快充技術(shù)以其高效、安...
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布,雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮...
2024-05-23 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 655 0
前言曼科推出一款小火山智充艙桌面插排,這款插座采用柱狀外觀設(shè)計,一側(cè)設(shè)有兩個新國標(biāo)五孔插孔,另一側(cè)設(shè)有2C1A快充接口,支持最大65W快充輸出,總體負(fù)載...
復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得重要進展
開關(guān)電源芯片被廣泛應(yīng)用于車載電子系統(tǒng)中,完成高效電能轉(zhuǎn)換。隨著智能駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展,對開關(guān)電源芯片的電磁干擾(EMI)噪聲的要求也日益嚴(yán)苛。
2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會6月21-23日濟南召開
半導(dǎo)體晶體是信息產(chǎn)業(yè)的基石,其生長技術(shù)、加工工藝、關(guān)鍵設(shè)備、器件應(yīng)用及原材料供給等對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定至關(guān)重要。
中國降價影響美臺三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)利潤
有報道稱,兩年前,第三代半導(dǎo)體概念曾成為市場熱點,不僅中國大陸股市大幅上漲,還推動臺灣地區(qū)同類企業(yè)股價攀升。然而,近兩年來,美臺相關(guān)企業(yè)業(yè)績表現(xiàn)與預(yù)期相去甚遠。
功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入業(yè)績同比增長達73%
1 得益于移動快充、AI數(shù)據(jù)中心對氮化鎵的持續(xù)采用,以及碳化硅在電動汽車、太陽能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長,納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入同比增長達73%。...
2024-05-10 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1654 0
Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odysse...
Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導(dǎo)體資產(chǎn)
近日,知名的高壓集成電路和高效功率變換方案提供商Power Integrations(PI)宣布了一項重大收購計劃。該公司將于2024年7月完成對垂直氮...
Power Integrations宣布收購Odyssey Semiconductor的資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今天宣布達成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN...
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