完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章：1451個 瀏覽：116439次 帖子：76個
德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模
德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，加上已有 GaN ...
Power Integrations榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項大獎
近日，由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌評選活動”在深圳隆重舉行。此次評選旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、市場表現(xiàn)和行業(yè)影響力方面具有卓越成就的企業(yè)，嚴(yán)格的...
德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，展現(xiàn)自有制造能力新高度
德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，此舉標(biāo)志著該公司在GaN半...
2024-10-30 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 307 0
1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （Ga...
與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
2023-09-14 標(biāo)簽：MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 298 0
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一，新能源汽車...
65w氮化鎵充電器2c1a方案| 過認(rèn)證、低成本！
驪微電子65w氮化鎵充電器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片NDP1460PQB和PD協(xié)議芯片XPD7...
泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗室 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消...
從去年至今，我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來越成熟。
與傳統(tǒng)硅相比，這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處，包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。
2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 264 0
Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
與安川電機(jī)公司合作取得的這項成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺的基本優(yōu)勢。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 ...
2023-08-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動氮化鎵 262 0
英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無線功率
英飛凌近日宣布與總部位于加拿大AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供Coo...
近幾年，隨著手機(jī)等電子產(chǎn)品的普及，人們對于快速充電的需求越來越高。在這樣的趨勢下，愛美雅電子推出了一款性能卓越的65W氮化鎵快充方案，其高效、安全、快速...
英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包...
英諾賽科登陸港交所，氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場
近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全...
2025-01-06 標(biāo)簽：電壓氮化鎵功率半導(dǎo)體 236 0
有獎直播 | 羅姆氮化鎵電源技術(shù)開創(chuàng)高效小型化未來
ROHM擁有多年電源產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗，近年更以寬能隙半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品線，提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導(dǎo)通電阻加上優(yōu)異的高速開關(guān)性能，絕對值得您深入了解。
2024-10-16 標(biāo)簽：電源氮化鎵羅姆半導(dǎo)體 234 0
高壓電池斷開開關(guān)的未來：氮化鎵技術(shù)能否解決關(guān)鍵挑戰(zhàn)?
目前市場上的電動車使用的是400V和800V的電池，標(biāo)稱電流超過200安培。如果這些高壓和高電流連接到車身或任何導(dǎo)電部件上，可能會導(dǎo)致致命風(fēng)險。為了防止...
25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問題提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設(shè)備的處理速度，提升用戶體驗，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱...
羅姆與臺積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Comp...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
