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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比,氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...
RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵...
宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET
RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3
日前,高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932,這種無與倫...
IR推出高效率氮化鎵功率器件 目前,硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率,不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了
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