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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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英諾賽科IPO!三年?duì)I收超7億累計(jì)虧損67億,開拓海外市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書,正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后,終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了...
納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地
據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息,1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“蘇州納維科技”)在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”這句廣告語(yǔ)可能是很多人對(duì)快充最開始的認(rèn)識(shí),在以前很多手機(jī)廠商為實(shí)現(xiàn)手機(jī)長(zhǎng)時(shí)間續(xù)航,只會(huì)一味地增加手...
價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小,氮化鎵或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍”
價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小 ,氮化鎵 或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍” ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵材料由于具備禁帶寬...
Soitec收購(gòu)EpiGaN nv,整合氮化鎵優(yōu)勢(shì)
法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵(簡(jiǎn)稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議,以3,000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。
Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選
據(jù)悉,Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市,價(jià)格為 54.99 美元(369 RMB)。
回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹
成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績(jī)。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面,Negative Capacitance FET ...
支持PD3.0,30W標(biāo)準(zhǔn)續(xù)航蘋果15充電頭解決方案
近期,展嶸再次給電源適配器開發(fā)了新的方案,支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭,一共有兩個(gè)接口:A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW...
北方華創(chuàng)攬獲氮化鎵工藝裝備采購(gòu)訂單
近日,北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購(gòu)訂單,訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、 ...
Transphorm 最新技術(shù)白皮書: 常閉耗盡型 (D-Mode)與增強(qiáng)型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)對(duì)比
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說(shuō)明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺(tái)設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì),而E-Mo...
2023-10-24 標(biāo)簽:氮化鎵 4038 0
國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體“搶跑”,縮短技術(shù)差距與大幅投資擴(kuò)產(chǎn)并舉,需注重產(chǎn)能與需求雙向平衡
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)第三代半導(dǎo)體的火熱程度勿需多言,從氮化鎵電源適配器的規(guī)模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊,再到國(guó)內(nèi)如火如荼地投資第三代半導(dǎo)體,這...
2021-12-14 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 4014 0
業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場(chǎng)!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品,再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品,PI都走在行業(yè)前列。近期,PI推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)...
2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告
據(jù)Yole估計(jì),在0~900V的低壓市場(chǎng),GaN潛在市場(chǎng)約為105 億美元; 2019年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模為5.6億美元,預(yù)計(jì)2022年將達(dá)12億美...
9月19日,英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,標(biāo)志著全球最大氮化鎵工...
與傳統(tǒng)材料相比,第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,因此,其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、...
2021-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3961 0
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...
2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 3933 0
硬實(shí)力對(duì)決|華廈半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人談謙:純度決定高度,粒度決定深度
視頻鏈接: https://media.elecfans.com/elecfans/2021/11/20211122.mp4 全國(guó)13強(qiáng)項(xiàng)目——高純鎵及...
針對(duì)工業(yè)和400V系統(tǒng)汽車電源,PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件
PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件,為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù),可提供高達(dá)100...
氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性,氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,如LED照明、電力電子、無(wú)線通信、智能家...
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