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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

英諾賽科IPO!三年?duì)I收超7億累計(jì)虧損67億,開拓海外市場(chǎng)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書,正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后,終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了...

2024-06-17 標(biāo)簽:ipo氮化鎵英諾賽科 4165 0

納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地

據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息,1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“蘇州納維科技”)在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。

2021-01-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 4158 0

69W 雙USB-C口氮化鎵充電器調(diào)試完畢,進(jìn)入試產(chǎn)階段

支持VOOC等超級(jí)快充。

2019-05-08 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 4154 0

百瓦以上快充為何選擇LLC架構(gòu)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”這句廣告語(yǔ)可能是很多人對(duì)快充最開始的認(rèn)識(shí),在以前很多手機(jī)廠商為實(shí)現(xiàn)手機(jī)長(zhǎng)時(shí)間續(xù)航,只會(huì)一味地增加手...

2021-09-06 標(biāo)簽:氮化鎵快充 4148 0

價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小,氮化鎵或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍”

價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小,氮化鎵或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍”

價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小 ,氮化鎵 或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍” ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵材料由于具備禁帶寬...

2023-03-20 標(biāo)簽:電源氮化鎵氮矽科技 4121 0

Soitec收購(gòu)EpiGaN nv,整合氮化鎵優(yōu)勢(shì)

法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵(簡(jiǎn)稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議,以3,000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。

2019-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 4118 0

Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選

據(jù)悉,Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市,價(jià)格為 54.99 美元(369 RMB)。

2019-04-28 標(biāo)簽:氮化鎵Anker 4101 0

回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹

成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績(jī)。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面,Negative Capacitance FET ...

2019-09-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 4061 0

支持PD3.0,30W標(biāo)準(zhǔn)續(xù)航蘋果15充電頭解決方案

支持PD3.0,30W標(biāo)準(zhǔn)續(xù)航蘋果15充電頭解決方案

近期,展嶸再次給電源適配器開發(fā)了新的方案,支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭,一共有兩個(gè)接口:A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW...

2023-09-18 標(biāo)簽:蘋果氮化鎵pd3.0 4045 0

北方華創(chuàng)攬獲氮化鎵工藝裝備采購(gòu)訂單

近日,北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購(gòu)訂單,訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、 ...

2018-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 4044 0

Transphorm 最新技術(shù)白皮書: 常閉耗盡型 (D-Mode)與增強(qiáng)型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說(shuō)明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺(tái)設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì),而E-Mo...

2023-10-24 標(biāo)簽:氮化鎵 4038 0

國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體“搶跑”,縮短技術(shù)差距與大幅投資擴(kuò)產(chǎn)并舉,需注重產(chǎn)能與需求雙向平衡

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)第三代半導(dǎo)體的火熱程度勿需多言,從氮化鎵電源適配器的規(guī)模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊,再到國(guó)內(nèi)如火如荼地投資第三代半導(dǎo)體,這...

2021-12-14 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 4014 0

業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場(chǎng)!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

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2024-11-18 標(biāo)簽:PI氮化鎵高耐壓 4012 1

2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告

據(jù)Yole估計(jì),在0~900V的低壓市場(chǎng),GaN潛在市場(chǎng)約為105 億美元; 2019年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模為5.6億美元,預(yù)計(jì)2022年將達(dá)12億美...

2020-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 3995 0

全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成!

9月19日,英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,標(biāo)志著全球最大氮化鎵工...

2020-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 3987 0

半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況

半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況

與傳統(tǒng)材料相比,第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,因此,其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、...

2021-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3961 0

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里?

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...

2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 3933 0

硬實(shí)力對(duì)決|華廈半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人談謙:純度決定高度,粒度決定深度

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視頻鏈接: https://media.elecfans.com/elecfans/2021/11/20211122.mp4 全國(guó)13強(qiáng)項(xiàng)目——高純鎵及...

2021-11-22 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體氮化鎵 3922 0

針對(duì)工業(yè)和400V系統(tǒng)汽車電源,PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件

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PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件,為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù),可提供高達(dá)100...

2023-03-31 標(biāo)簽:PI汽車電源氮化鎵 3919 0

氮化鎵你了解多少

氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性,氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,如LED照明、電力電子、無(wú)線通信、智能家...

2023-05-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 3912 0

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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
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