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      標簽　>　派恩杰

      派恩杰

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      派恩杰半導體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導體功率器件設計銷售企業（Fabless模式），持續專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設計研發與產品銷售。

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      派恩杰簡介

      　　派恩杰半導體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導體功率器件設計銷售企業（Fabless模式），持續專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設計研發與產品銷售。

      　　派恩杰產品有SiC SBD，SiC MOS以及GaN HEMT等，廣泛應用于服務器及數據中心電源、新能源汽車、智能電網、5G物聯網、工業電機、逆變器等場景和領域。成立僅6個月即完成第一款可兼容驅動650V GaN功率器件；同年發布Gen3技術的1200V SiC MOS產品，技術指標國內領先；2020年公司推出650V、1700V SiC MOS產品，完成三大產品系列布局；2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全陣容產品，豐富了650V、1200V、1700V SiC MOS產品線，將發布100余款不同型號功率器件。

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      派恩杰技術

      2022年開工第一天，派恩杰半導體在全球首推PD 快充的碳化硅應用方案

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      派恩杰資訊

      國產SiC MOSFET“隱形王者”，打入汽車市場，迎接OBC爆發期

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      2022年派恩杰完成數億元融資；僅車規功率MOS芯片營收過半億

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