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標(biāo)簽 > 派更半導(dǎo)體
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RF SOI(射頻絕緣體上硅)的發(fā)明者及先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)派更(Peregrine)半導(dǎo)體公司宣布推出單片100瓦功率限幅器UltraCMOS? P...
2017-05-16 標(biāo)簽:RF派更半導(dǎo)體pe45361 2040 0
派更半導(dǎo)體公司高擲數(shù)射頻開(kāi)關(guān)可為測(cè)試與測(cè)量設(shè)計(jì)提供無(wú)可比擬的靈活性和高性能
RF SOI(射頻絕緣體上硅)的發(fā)明者及先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)派更(Peregrine)半導(dǎo)體公司推出UltraCMOS? PE42562、PE4258...
2017-05-16 標(biāo)簽:射頻開(kāi)關(guān)派更半導(dǎo)體pe42562 1784 0
派更半導(dǎo)體公司將對(duì)高管團(tuán)隊(duì)進(jìn)行重大調(diào)整
2017年3月13日,圣地亞哥——派更半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官Jim Cable今日宣布,派更半導(dǎo)體將對(duì)其高管團(tuán)隊(duì)進(jìn)行重大調(diào)整,公司將任命Stefan Wo...
2017-05-16 標(biāo)簽:英特爾村田派更半導(dǎo)體 1579 0
派更半導(dǎo)體公司宣布可量產(chǎn)供應(yīng)開(kāi)創(chuàng)性的UltraCMOS? 60 GHz RF SOI開(kāi)關(guān)
RF SOI(射頻絕緣體上硅)的發(fā)明者及先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)派更(Peregrine)半導(dǎo)體公司宣布,其可立即量產(chǎn)供應(yīng)UltraCMOS? 60 GH...
2017-05-16 標(biāo)簽:RF派更半導(dǎo)體pe42525 1090 0
派更半導(dǎo)體公司宣布量產(chǎn)供應(yīng)UltraCMOS? 60 GHz RF SOI開(kāi)關(guān)
PE42525和PE426525具有高速開(kāi)關(guān)、高隔離度、低插入損耗及出色的線性度等特性,為微波頻段上的RF SOI設(shè)定了新標(biāo)準(zhǔn) RF SOI(射頻絕緣體...
2017-05-17 標(biāo)簽:射頻開(kāi)關(guān)派更半導(dǎo)體pe42525 978 0
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