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標(biāo)簽 > 浪涌
浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時(shí)間內(nèi)的一種劇烈脈沖。可能引起浪涌的原因有:重型設(shè)備、短路、電源切換或大型發(fā)動(dòng)機(jī)。而含有浪涌阻絕裝置的產(chǎn)品可以有效地吸收突發(fā)的巨大能量,以保護(hù)連接設(shè)備免于受損。
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防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)
敏感部件可能會(huì)出現(xiàn)靜電損壞風(fēng)險(xiǎn)。國際電工委員會(huì)IEC委員會(huì)定義了標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)定義了四種嚴(yán)重等級(jí),對(duì)應(yīng)于四種電壓等級(jí),有兩種放電、接觸和空氣類型。
大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。
ESD和浪涌的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),測(cè)試方法
ESD和浪涌問題往往是基帶工程師最頭疼的問題,因?yàn)闇y(cè)試標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛,問題神出鬼沒。特別是ESD問題,沒有解決問題的標(biāo)準(zhǔn)路徑,只能靠反復(fù)地構(gòu)思方案并驗(yàn)證。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)
關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),SiC MOSFET的HS誤...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn):通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
據(jù)估計(jì),電子產(chǎn)品的故障有75%是由于瞬變和浪涌造成的。電壓的瞬變和浪涌無處不在,電網(wǎng)、雷擊、爆破,就連人在地毯上行走都會(huì)產(chǎn)生上萬伏的靜電感應(yīng)電壓,這些都...
2023-01-15 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品浪涌浪涌防護(hù) 1658 0
Ameya360雷卯電子:防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)
剛看過了CES2023,雷卯的外貿(mào)伙伴們看了新的AR,VR,5G產(chǎn)品,新的電子產(chǎn)品更智能、更復(fù)雜,嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設(shè)備的環(huán)境往往很惡劣,...
某產(chǎn)品GPS接口浪涌故障整改案例——單向和雙向TVS的選擇
某產(chǎn)品GPS天饋口,在進(jìn)行共模3KA@8/20μs沖擊電流測(cè)試時(shí),正向和負(fù)向注入每次測(cè)試LDO芯片都會(huì)損壞,產(chǎn)品無法正常工作,實(shí)驗(yàn)不通過。
浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時(shí)間內(nèi)的一種劇烈脈沖,。
2022-10-24 標(biāo)簽:電流浪涌配電系統(tǒng) 3466 0
產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的,浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護(hù)...
CEZ5V6齊納二極管概述及應(yīng)用場(chǎng)景
提及浪涌這個(gè)詞不知道會(huì)激起多少電子工程師內(nèi)心的恐懼與憤恨,特別是在新型電子產(chǎn)品第一版設(shè)計(jì)完善后做壓力疲勞測(cè)試的時(shí)候極為容易受到浪涌的危害。
ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航
傳統(tǒng)的過電壓(OV)和過流(OC)保護(hù)系統(tǒng)往往包括:用于過濾低能量尖峰的電容器和電感、用于過電壓保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)、用于直流過流保護(hù)的保險(xiǎn)絲...
針對(duì)ISO7637對(duì)汽車電子設(shè)備在電源上的抗擾度要求,這里浪拓給出一個(gè)合理的12V電源系統(tǒng)方案。 浪涌保護(hù)包括一個(gè)PPTC和TVS管,可以有效抑制類似于...
一文解析IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)浪涌抗擾度試驗(yàn)
不同的電子、電氣產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)對(duì)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)的要求是不同的,但這些標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)大多都直接或間接引用GB/T17626.5-1999...
找到合適的設(shè)備并非難事。本文將逐步介紹選擇數(shù)字隔離器的一些關(guān)鍵步驟,從而簡(jiǎn)化您的搜索。
2020-10-22 標(biāo)簽:德州儀器數(shù)字隔離器浪涌 1713 0
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