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標(biāo)簽 > 浪涌

浪涌

+關(guān)注3人關(guān)注

浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時(shí)間內(nèi)的一種劇烈脈沖。可能引起浪涌的原因有:重型設(shè)備、短路、電源切換或大型發(fā)動(dòng)機(jī)。而含有浪涌阻絕裝置的產(chǎn)品可以有效地吸收突發(fā)的巨大能量,以保護(hù)連接設(shè)備免于受損。

文章:174個(gè) 瀏覽:28512 帖子:60個(gè)

浪涌技術(shù)

防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)

防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)

敏感部件可能會(huì)出現(xiàn)靜電損壞風(fēng)險(xiǎn)。國際電工委員會(huì)IEC委員會(huì)定義了標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)定義了四種嚴(yán)重等級(jí),對(duì)應(yīng)于四種電壓等級(jí),有兩種放電、接觸和空氣類型。

2023-03-19 標(biāo)簽:電磁兼容TVSlayout 1323 0

壓敏電阻的正確打開方式

壓敏電阻的正確打開方式

壓敏電阻(MOV)是以氧化鋅(ZnO) 為主要成分的非線性電阻元件,該元件浪涌電流耐量及非線性系數(shù)非常大,在閥值電壓以下時(shí),電阻非常高,幾乎沒有電流流過...

2023-03-17 標(biāo)簽:MOV壓敏電阻浪涌 720 0

如何改善MOS管被ESD擊穿的問題

大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。

2023-03-15 標(biāo)簽:電阻ESD靜電 1020 0

ESD和浪涌的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),測(cè)試方法

ESD和浪涌問題往往是基帶工程師最頭疼的問題,因?yàn)闇y(cè)試標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛,問題神出鬼沒。特別是ESD問題,沒有解決問題的標(biāo)準(zhǔn)路徑,只能靠反復(fù)地構(gòu)思方案并驗(yàn)證。

2023-03-14 標(biāo)簽:波形浪涌TVS管 1.5萬 0

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)

關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET電路板SiC 1127 0

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對(duì)策

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對(duì)策

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),SiC MOSFET的HS誤...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓SiC 1116 0

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策

本文的關(guān)鍵要點(diǎn):通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET柵極SiC 1036 0

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC浪涌 1198 0

分享五種浪涌防護(hù)的方法

據(jù)估計(jì),電子產(chǎn)品的故障有75%是由于瞬變和浪涌造成的。電壓的瞬變和浪涌無處不在,電網(wǎng)、雷擊、爆破,就連人在地毯上行走都會(huì)產(chǎn)生上萬伏的靜電感應(yīng)電壓,這些都...

2023-01-15 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品浪涌浪涌防護(hù) 1658 0

Ameya360雷卯電子:防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)

Ameya360雷卯電子:防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)

剛看過了CES2023,雷卯的外貿(mào)伙伴們看了新的AR,VR,5G產(chǎn)品,新的電子產(chǎn)品更智能、更復(fù)雜,嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設(shè)備的環(huán)境往往很惡劣,...

2023-01-13 標(biāo)簽:TVSLayout浪涌 642 0

某產(chǎn)品GPS接口浪涌故障整改案例——單向和雙向TVS的選擇

某產(chǎn)品GPS接口浪涌故障整改案例——單向和雙向TVS的選擇

某產(chǎn)品GPS天饋口,在進(jìn)行共模3KA@8/20μs沖擊電流測(cè)試時(shí),正向和負(fù)向注入每次測(cè)試LDO芯片都會(huì)損壞,產(chǎn)品無法正常工作,實(shí)驗(yàn)不通過。

2022-10-25 標(biāo)簽:接口TVSgps 4540 0

浪涌的基本概念

浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時(shí)間內(nèi)的一種劇烈脈沖,。

2022-10-24 標(biāo)簽:電流浪涌配電系統(tǒng) 3466 0

對(duì)于浪涌抑制一般有哪些措施?

產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的,浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護(hù)...

2022-10-21 標(biāo)簽:浪涌浪涌保護(hù)器 4943 0

布局浪涌抑制電路板的注意事項(xiàng)

布局浪涌抑制電路板的注意事項(xiàng)

本文將介紹實(shí)際制作這種浪涌抑制電路時(shí)電路板布局方面的注意事項(xiàng)。

2022-03-29 標(biāo)簽:電路板浪涌電路板布局 3774 0

一文詳解正電壓浪涌的對(duì)策和效果

一文詳解正電壓浪涌的對(duì)策和效果

作為米勒鉗位的替代方案,可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。本文將會(huì)通過示例來探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果。

2022-03-29 標(biāo)簽:柵極浪涌電壓浪涌 2332 0

CEZ5V6齊納二極管概述及應(yīng)用場(chǎng)景

提及浪涌這個(gè)詞不知道會(huì)激起多少電子工程師內(nèi)心的恐懼與憤恨,特別是在新型電子產(chǎn)品第一版設(shè)計(jì)完善后做壓力疲勞測(cè)試的時(shí)候極為容易受到浪涌的危害。

2022-03-28 標(biāo)簽:二極管封裝浪涌 2211 0

ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航

ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航

傳統(tǒng)的過電壓(OV)和過流(OC)保護(hù)系統(tǒng)往往包括:用于過濾低能量尖峰的電容器和電感、用于過電壓保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)、用于直流過流保護(hù)的保險(xiǎn)絲...

2021-12-21 標(biāo)簽:MOSFETadi浪涌 2564 0

面向ISO7637的12V車載電源浪涌防護(hù)方案

針對(duì)ISO7637對(duì)汽車電子設(shè)備在電源上的抗擾度要求,這里浪拓給出一個(gè)合理的12V電源系統(tǒng)方案。 浪涌保護(hù)包括一個(gè)PPTC和TVS管,可以有效抑制類似于...

2020-11-18 標(biāo)簽:二極管TVS浪涌 3672 0

一文解析IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)浪涌抗擾度試驗(yàn)

一文解析IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)浪涌抗擾度試驗(yàn)

不同的電子、電氣產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)對(duì)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)的要求是不同的,但這些標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)大多都直接或間接引用GB/T17626.5-1999...

2020-10-27 標(biāo)簽:浪涌浪涌抗擾度 4.0萬 0

如何選擇數(shù)字隔離器

如何選擇數(shù)字隔離器

找到合適的設(shè)備并非難事。本文將逐步介紹選擇數(shù)字隔離器的一些關(guān)鍵步驟,從而簡(jiǎn)化您的搜索。

2020-10-22 標(biāo)簽:德州儀器數(shù)字隔離器浪涌 1713 0

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    TRINAMIC總部位于德國漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬,用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”

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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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