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清洗技術

兆聲功率、溫度和時間的相互影響

本文研究了兆聲功率、溫度和時間的相互影響，在兆聲功率和中高溫下進行的稀釋化學反應被證明對小顆粒再利用是非常有效的。數據顯示，當在中等溫度(例如45℃)下...

2022-04-19 標簽：功率測量清洗 528 0

詳解硅晶圓的超精密清洗、干燥技術

隨著LSI集成度的顯著增加，各元件的斷面構造從平面型向以溝槽（溝）構造的出現為代表的三維構造變遷。在以極限微細化為指向的LSI技術中，為了能夠對應凹凸嚴...

2022-04-19 標簽：硅晶圓清洗 2545 0

詳細探討晶片清洗和紋理的相互作用

本文將詳細探討清洗和紋理的相互作用，在清潔過程中使用的化學類型對平等有著深遠的影響，并在紋理中產生不可預測的影響。

2022-04-18 標簽：晶片清洗 474 0

硅晶圓表面的金屬及粒子的附著行為

隨著器件的高集成化，對高質量硅晶片的期望。高質量晶片是指晶體質量、加工質量以及表面質量優異的晶片。此外，芯片尺寸的擴大、制造成本的增加等問題受到重視，近...

2022-04-18 標簽：硅晶圓清洗 1122 0

基于RCA清洗系統的熱模型以及清洗液的溫度控制法

在半導體制造工序的硅晶圓的清洗中，RCA清洗法被很多企業使用。RCA清洗方法是清洗硅片的行業標準方法，其中清洗溶液的溫度控制對于穩定的清洗性能很重要，但...

2022-04-15 標簽：清洗 1112 0

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長...

2022-04-15 標簽：晶片 GaN 清洗 784 0

PVA刷接觸式清洗過程中超細顆粒清洗現象

為了LSI的小型·高性能化，為了實現高精度的基板表面粗糙度，在制造工序中推進了微細且多層布線化。要求使用粒徑100 nm以下的納米粒子的CMP（Ch...

2022-04-15 標簽：納米清洗顆粒 696 0

使用高頻超聲波的半導體單片清洗中的微粒子去除研究

本文使用高頻超聲波的半導體單片清洗中的微粒子去除進行了研究。水中的超聲波在波導管內傳播時，根據波導管的內徑形成平面波以外的波導管模式，此時，通過LDV測...

2022-04-14 標簽：半導體超聲波清洗 791 0

半導體清洗液中溶解氫氣對晶圓清洗的影響

在最近的半導體清潔方面，以生物堿為基礎的RCA清潔法包括大量的超純和化學液消耗量以及清潔時多余薄膜的損失；由于環境問題，對新的新精液和清潔方法的研究正...

2022-04-14 標簽：半導體蝕刻清洗 680 0

濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度...

2022-04-14 標簽：清洗硅晶片 702 0

半導體晶圓的雙流體清洗技術

一直以來，對于粒子的洗滌效果，以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)為指標進行討論。通過使用由顆粒測量儀器測量的晶片...

2022-04-13 標簽：晶圓清洗 2713 0

一種除去晶片表面有機物的清洗方法

近年來，作為取代SPM（硫酸/過氧化氫）清洗的有機物去除法，通過添加臭氧的超純水進行的清洗受到關注，其有效性逐漸被發現。在該清洗法中，可以實現清洗工序的...

2022-04-13 標簽：工藝硅片清洗 2255 0

硅晶片的蝕刻預處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-...

2022-04-13 標簽：蝕刻清洗硅晶片 1065 0

應用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術

直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關鍵推動者，可提高封裝密度和器件性能。要實現3DIC對下一代器件的優勢，TSV縮放至關重要。

2022-04-12 標簽：晶圓清洗 TSV 1183 0

光伏硅片的超聲化學清洗技術

近年來，太陽能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統中，90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池，具有成本低、面積大、效率較高的優點。...

2022-04-12 標簽：光伏清洗硅晶片 2562 0

用于單晶片清洗的超臨界流體

使用超臨界流體去除污染物的過程，即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴散和粘度，使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜，并...

2022-04-12 標簽：晶圓工藝清洗 1193 0

外延沉積前原位工藝清洗的效果

本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機物，此外，該過程是在原位進行的，沒有像傳統上那樣將晶圓從工藝轉移到沖...

2022-04-12 標簽：工藝晶片清洗 856 0

半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

引言用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率...

2022-01-13 標簽：半導體電化學蝕刻 2511 0

常用化工設備的清洗方式

利用循環水系統中的涼水塔作為加藥箱，往系統里面加藥，進行自然循環。

2019-02-11 標簽：清洗換熱器 5586 0

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