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清洗

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè)

清洗技術(shù)

硅晶圓表面的金屬及粒子的附著行為

隨著器件的高集成化，對高質(zhì)量硅晶片的期望。高質(zhì)量晶片是指晶體質(zhì)量、加工質(zhì)量以及表面質(zhì)量優(yōu)異的晶片。此外，芯片尺寸的擴大、制造成本的增加等問題受到重視，近...

2022-04-18 標簽：硅晶圓清洗 1122 0

基于RCA清洗系統(tǒng)的熱模型以及清洗液的溫度控制法

在半導(dǎo)體制造工序的硅晶圓的清洗中，RCA清洗法被很多企業(yè)使用。RCA清洗方法是清洗硅片的行業(yè)標準方法，其中清洗溶液的溫度控制對于穩(wěn)定的清洗性能很重要，但...

2022-04-15 標簽：清洗 1113 0

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-...

2022-04-13 標簽：蝕刻清洗硅晶片 1065 0

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)

本文的目標是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權(quán)衡。將開發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光...

2022-05-07 標簽：清洗單晶片 900 0

利用臭氧微泡清洗半導(dǎo)體晶片

小氣泡顯示出與普通氣泡不同的行為。普通氣泡在水中急速浮起，在表面破裂消失。但是，如果成為直徑小于50μm的氣泡，則會慢慢浮起并縮小，最終在水中消失。在水...

2022-04-20 標簽：半導(dǎo)體晶片清洗 880 0

外延沉積前原位工藝清洗的效果

本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機物，此外，該過程是在原位進行的，沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_...

2022-04-12 標簽：工藝晶片清洗 856 0

EGEE、NMP和THFA的微粒去除和基底損傷性能

在本報告中，我們?nèi)A林科納探討了2-乙氧基乙醇(EGEE)、NMP和THFA在常規(guī)氣溶膠噴霧清潔系統(tǒng)中的微粒去除和基底損傷性能。在300毫米和200毫米的...

2022-05-07 標簽：晶片清洗微粒 822 0

污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金...

2022-05-18 標簽：晶片清洗刻蝕 805 0

使用高頻超聲波的半導(dǎo)體單片清洗中的微粒子去除研究

本文使用高頻超聲波的半導(dǎo)體單片清洗中的微粒子去除進行了研究。水中的超聲波在波導(dǎo)管內(nèi)傳播時，根據(jù)波導(dǎo)管的內(nèi)徑形成平面波以外的波導(dǎo)管模式，此時，通過LDV測...

2022-04-14 標簽：半導(dǎo)體超聲波清洗 791 0

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長...

2022-04-15 標簽：晶片 GaN 清洗 784 0

關(guān)于PVA刷摩擦表面的清洗技術(shù)

本文簡要綜述了所提出的清洗機制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介紹了P...

2022-04-21 標簽：PVA 清洗 770 0

濕式化學(xué)清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學(xué)清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度...

2022-04-14 標簽：清洗硅晶片 702 0

PVA刷接觸式清洗過程中超細顆粒清洗現(xiàn)象

為了LSI的小型·高性能化，為了實現(xiàn)高精度的基板表面粗糙度，在制造工序中推進了微細且多層布線化。要求使用粒徑100 nm以下的納米粒子的CMP（Ch...

2022-04-15 標簽：納米清洗顆粒 696 0

半導(dǎo)體清洗液中溶解氫氣對晶圓清洗的影響

在最近的半導(dǎo)體清潔方面，以生物堿為基礎(chǔ)的RCA清潔法包括大量的超純和化學(xué)液消耗量以及清潔時多余薄膜的損失；由于環(huán)境問題，對新的新精液和清潔方法的研究正...

2022-04-14 標簽：半導(dǎo)體蝕刻清洗 680 0

兆聲功率、溫度和時間的相互影響

本文研究了兆聲功率、溫度和時間的相互影響，在兆聲功率和中高溫下進行的稀釋化學(xué)反應(yīng)被證明對小顆粒再利用是非常有效的。數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)在中等溫度(例如45℃)下...

2022-04-19 標簽：功率測量清洗 529 0

光致抗蝕劑剝離和清洗對器件性能的影響

退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化，植入條件可以增強這些效應(yīng)，令...

2022-05-06 標簽：蝕刻晶片清洗 505 0

聚乙烯醇刷非接觸洗滌對CMP后清洗的影響

全接觸洗滌被認為是去除晶圓表面污染的最佳有效清潔方法之一。為了使刷與晶片之間的小間隙最大限度地增加水動力阻力，在晶片上安裝了壓電傳感器（圓片型）。為了研...

2022-05-06 標簽：晶圓 CMP 清洗 481 0

詳細探討晶片清洗和紋理的相互作用

本文將詳細探討清洗和紋理的相互作用，在清潔過程中使用的化學(xué)類型對平等有著深遠的影響，并在紋理中產(chǎn)生不可預(yù)測的影響。

2022-04-18 標簽：晶片清洗 474 0

一種新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)

本文介紹了新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)，研究它們是否可以提供更低的水和化學(xué)消耗的能力，能否提供每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全...

2022-04-21 標簽：工藝晶片清洗 368 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標的情況，會馬上發(fā)出警示。

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