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標簽 > 漏極
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開關管通常具有三個引腳,分別為G(Gate,門極)、D(Drain,漏極)和S(Source,源極)。這三個引腳在開關管中扮演著不同的角色,共同決定了開...
P溝道場效應管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的電流方向是半導體器件工作中的一個基本特性,它決定了...
線性穩壓器(LDO)是一種廣泛使用的電源管理器件,其主要功能是將輸入電壓轉換為穩定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過調整內部功率管的導通程度來實現電壓轉...
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常用的半導體器件,廣泛應用于各種電子線路中。在實際應用中,我們經常需要對場效...
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區別...
美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
MOS管的結構主要由三個區域組成:柵極(Gate)、源極(Source)和漏極(Drain)。其中,柵極和漏極都是金屬電極,源極可以是金屬或半導體材料。
對于恒定Vds,Vgs越大,則溝道中可移動的電子越多,溝道電阻就越小,ID就越大。當然這個Vgs大到一定值,電壓再大,ID的變化也不會再有太大的變化了。...
在現代電子技術中,直流電機因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應用于各種工業和消費產品中。MOS管因其高速開關特性和低導通電阻成為控制直流電機的理想選擇。...
柵極源級漏極分別是什么?模擬電路中柵極源級漏極的工作原理是什么
源極簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電.柵極由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極。漏極在兩個高摻雜的...
三菱電機上市漏極效率達70%的MOSFET新品RD01MUS2B
三菱電機將上市輸出功率為1W的7.2V MOSFET新產品RD01MUS2B,適用于商用無線傳呼機及特定小功率無線傳呼機用功率放大器。新產品將于2011...
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