開關(guān)管三個引腳和功能

開關(guān)管通常具有三個引腳，分別為G（Gate，門極）、D（Drain，漏極）和S（Source，源極）。這三個引腳在開關(guān)管中扮演著不同的角色，共同決定了開...

2024-10-25 標簽：源極漏極引腳 3121 0

P溝道場效應(yīng)管的電流方向是什么

P溝道場效應(yīng)管（P-channel Field-Effect Transistor，簡稱P-FET）的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個基本特性，它決定了...

2024-09-23 標簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管漏極 1335 0

ldo功率管工作在什么區(qū)

線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種廣泛使用的電源管理器件，其主要功能是將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過調(diào)整內(nèi)部功率管的導(dǎo)通程度來實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)...

2024-07-14 標簽：ldo電源管理器漏極 2059 0

場效應(yīng)管在線路板上如何測量好壞

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子線路中。在實際應(yīng)用中，我們經(jīng)常需要對場效...

2024-07-14 標簽：場效應(yīng)管線路板漏極 1014 0

mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別

漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...

2024-01-31 標簽：二極管MOSFET場效應(yīng)晶體管 2469 0

美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET

美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV ...

2023-10-12 標簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管漏極 1361 0

MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用

MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個區(qū)域組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和漏極都是金屬電極，源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。

2023-09-28 標簽：傳感器半導(dǎo)體MOS管 6690 0

MOS管的通斷過程你都理解透了嗎？

對于恒定Vds，Vgs越大，則溝道中可移動的電子越多，溝道電阻就越小，ID就越大。當然這個Vgs大到一定值，電壓再大，ID的變化也不會再有太大的變化了。...

2023-03-25 標簽：電阻MOS管漏極 4874 0

MOSFET的源極主要作用

在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場的參考點，它是連接到源極-漏...

2023-02-21 標簽：MOSFET源極漏極 3095 0

場效應(yīng)管的三個極圖解_場效應(yīng)管壞了會有什么現(xiàn)象

場效應(yīng)管的三個極相當于三級管的三個電極，G是控制極，相當于三級管的B極，電壓控制DS的導(dǎo)通率（三極管是電流控制型，B極控制CE的導(dǎo)通能力）D級是漏極，相...

2023-02-11 標簽：場效應(yīng)管電極漏極 1.0萬 0

電池充電器的反向電壓保護準則

在該電路中，MN1 連接在充電器/負載和電池端子之間連接的低側(cè)。

2021-06-26 標簽：MOSFET漏極反向電池 3318 0