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      標簽　>　相變內存

      相變內存

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      　　相變內存的英文是“Phase-Change Memory”，簡稱“PCM”，是一種非易失性的內存產品。

      文章： 2 個
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      帖子： 0 個
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      相變內存簡介

      　　相變內存是下一代內存（閃存）技術，相變內存結合了DRAM內存的高速存取，以及閃存在關閉電源之后保留數據的特性，被業界視為未來閃存和內存的替代品。

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      相變內存技術

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      相變內存資訊

      新研究成果相變內存 比傳統DRAM快1000倍

      下一代內存的讀取速度會比現在快多少?來自美國斯坦福大學的研究人員認為，相變內存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是現在DRAM內存...

      2016-08-18 標簽：相變內存 1135 0

      2013年存儲行業預測Top10：大數據席卷而來，下一個大事？

      12月19消息，據InfoStor雜志對存儲行業專家進行的調查，大數據席卷而來，專家對此提出了2013年存儲行業的10大預測。下一個大事是什么？

      2012-12-19 標簽：云計算云存儲大數據 1817 0

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      相變內存數據手冊

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