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深圳真茂佳半導(dǎo)體有限公司是一家以技術(shù)、市場(chǎng)為導(dǎo)向技術(shù)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)具有20年以上的半導(dǎo)體制造管理、市場(chǎng)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),核心研發(fā)人員均擁有至少15年以上功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。
真茂佳推出數(shù)十款MOS,20W-120W快充產(chǎn)品都可用
通過(guò)柵極自鉗位專利技術(shù),使得器件使用過(guò)程中產(chǎn)生的VGS尖峰電壓實(shí)現(xiàn)了行業(yè)最低水平。通過(guò)屏蔽柵阻尼網(wǎng)絡(luò)專利技術(shù)可以使器件使
2020-12-02 標(biāo)簽: 功率半導(dǎo)體 快充技術(shù) PD快充 1985 0
深圳真茂佳半導(dǎo)體有限公司是一家以技術(shù)、市場(chǎng)為導(dǎo)向技術(shù)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)具有20年以上的半導(dǎo)體制造管理、市場(chǎng)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),核心研發(fā)人員均擁有至少15年以上功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn);其中海外設(shè)計(jì)人員長(zhǎng)期從事汽車級(jí)MOSFET產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),也是國(guó)際上少數(shù)最早參與車用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的設(shè)計(jì)人員之一。
公司基于汽車功率半導(dǎo)體器件平臺(tái)技術(shù)打造高可靠性產(chǎn)品,目前主要產(chǎn)品有溝槽MOSFET(20-200V)、SGT MOSFET(30-150V)、超級(jí)結(jié)MOSFET(600-900V)、集成快恢復(fù)二極管MOSFET(500-600V)、SIC二極管、SIC MOSFET。同時(shí)公司完全掌握GaNHEMT、IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)與工藝技術(shù),將根據(jù)市場(chǎng)需求擇時(shí)推出相關(guān)產(chǎn)品。目前公司有TO、SOP、DFN、SOT、WLCSP等系列封裝形式。
公司主要應(yīng)用領(lǐng)域有電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源、電池保護(hù)。其中在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、PD快充、適配器、通訊電源、無(wú)線充、嵌入式系統(tǒng)、車充、電池保護(hù)等領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。公司秉承以客戶為中心的經(jīng)營(yíng)理念,通過(guò)持續(xù)創(chuàng)新、不斷推出可比肩世界優(yōu)秀廠家的高效、高可靠性、高性價(jià)比的功率器件,持續(xù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值。
真茂佳推出數(shù)十款MOS,20W-120W快充產(chǎn)品都可用
通過(guò)柵極自鉗位專利技術(shù),使得器件使用過(guò)程中產(chǎn)生的VGS尖峰電壓實(shí)現(xiàn)了行業(yè)最低水平。通過(guò)屏蔽柵阻尼網(wǎng)絡(luò)專利技術(shù)可以使器件使用過(guò)程的Vds尖峰控制在較低水平。
2020-12-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體快充技術(shù)PD快充 1985 0
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
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ZM040P04D | MOSFETs P-Channel 40V 90A TO-252 |
獲取價(jià)格
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ZMSA005N04HNC | MOSFETs 40V 360A DFN8_5X6MM |
獲取價(jià)格
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