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標簽 > 硅光芯片
SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。硅光芯片是通過標準半導體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路。
SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。硅光芯片是通過標準半導體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路。
硅光芯片具有高運算速度、低功耗、低時延等特點,且不必追求工藝尺寸的極限縮小,在制造工藝上,也不必像電子芯片那樣嚴苛,必須使用極紫外光刻機(EUV)。
材料差異: 硅光芯片主要使用硅作為材料,而傳統芯片則使用硅晶體。硅光芯片利用硅的光學特性,而傳統芯片則利用硅的電學特性。 功能差異: 硅光芯片主要用于光...
本文由半導體產業縱橫(ID:ICVIEWS)編譯自eetimes Tower預計今年硅光子業務收入將增長一倍以上,約達1億美元。 Tower Semic...
2024-11-21 標簽:硅光芯片 213 0
在當今集成電路技術的迅猛浪潮中,硅光芯片技術的崛起并非偶然之舉,而是應對傳統集成電路在數據傳輸與能效瓶頸上的必然產物。隨著信息技術的日新月異,對數據傳...
在“武漢新城·世界光谷”的璀璨舞臺上,中國信科集團以其卓越的科技創新成果再次點亮了信息產業的未來之光。近日,于“加快推動‘三個優勢轉化’,重塑新時代武漢...
上海微技術研究院標準180nm硅光工藝在八英寸SOI上制備了硅光芯片
近日,中國科學院上海微系統與信息技術研究所硅基材料與集成器件實驗室蔡艷研究員、歐欣研究員聯合團隊,在通訊波段硅基鈮酸鋰異質集成電光調制器方面取得了重要進展。
MEMS和硅光集成工藝成果入選《2023年上海科技進步報告》
近日,上海發布了《2023年上海科技進步報告》,來自上海工研院的MEMS標準工藝模塊及90納米硅光集成工藝2項國際先進水平技術成果入選。
國科光芯實現傳輸損耗-0.1dB/cm(1550 nm波長)級別氮化硅硅光芯片的量產
據麥姆斯咨詢報道,經過兩年、十余次的設計和工藝迭代,國科光芯(海寧)科技股份有限公司(簡稱:國科光芯)在國內首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產平臺,實現了傳...
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