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硅基氮化鎵

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硅基氮化鎵技術(shù)

硅基氮化鎵集成電路芯片有哪些

硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有廣闊的應(yīng)用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結(jié)合在一起，利用其優(yōu)勢來加速集成電路發(fā)展的速度。...

2024-01-10 標(biāo)簽：高電壓半導(dǎo)體材料集成電路芯片 908 0

硅基氮化鎵芯片具有哪些特點(diǎn)

　　硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)...

2023-02-14 標(biāo)簽：芯片電容器硅基氮化鎵 1833 0

硅基氮化鎵充電器的原理有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

　　硅基氮化鎵充電器是一種利用硅基氮化鎵材料作為電池正極材料的充電器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。

2023-02-14 標(biāo)簽：充電器硅基氮化鎵 2981 0

什么是硅基氮化鎵用途有哪些

　　硅基氮化鎵是一種新型復(fù)合材料，它是由硅和氮化鎵結(jié)合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強(qiáng)度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件...

2023-02-14 標(biāo)簽：電感器電源管理硅基氮化鎵 1302 0

硅基氮化鎵技術(shù)原理硅基氮化鎵的優(yōu)缺點(diǎn)

　　硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的...

2023-02-14 標(biāo)簽：電子元件電子器件硅基氮化鎵 1482 0

硅基氮化鎵襯底是什么襯底減薄的原因

　　硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。

2023-02-14 標(biāo)簽：激光航空航天硅基氮化鎵 1794 0

硅基氮化鎵怎么制作的硅基氮化鎵的工藝流程

　　硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。

2023-02-14 標(biāo)簽：功率器件硅基氮化鎵 1530 0

硅基氮化鎵是什么意思硅基氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

　　硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高外延片的性能。

2023-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子元件硅基氮化鎵 1580 0

硅基氮化鎵什么意思

硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關(guān)注。在最近十年的初期，當(dāng) Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術(shù)可減低 LED 照...

2023-02-12 標(biāo)簽：led 晶圓硅基氮化鎵 1034 0

硅基氮化鎵是什么

硅上氮化鎵具有廣泛的未來應(yīng)用，擴(kuò)展了當(dāng)前的HEMT功能，將功率水平提高到1kW以上。該技術(shù)可幫助設(shè)計人員提高工作電壓，并將頻率響應(yīng)從Ka波段推入E波段、...

2023-02-12 標(biāo)簽：頻率響應(yīng)HEMT 硅基氮化鎵 412 0

硅基氮化鎵帖子

硅基氮化鎵資料下載

硅基氮化鎵資訊

硅基氮化鎵的生產(chǎn)技術(shù)和工藝流程

　　硅基氮化鎵是一種由硅和氮化鎵組成的復(fù)合材料，它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外，硅基氮化鎵還可以用于制...

2023-02-14 標(biāo)簽：電子元件電磁屏蔽硅基氮化鎵 2480 0

群雄逐鹿！2021 GaN產(chǎn)業(yè)熱門事件盤點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限，成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場快速起量的同時，還在...

2022-01-19 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 硅基氮化鎵 2444 0

賽微電子擬投資10億元建6-8英寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)線

近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8...

2021-04-04 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 硅基氮化鎵 5951 0

Veeco與ALLOS展示Micro LED突破的合作成果

Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，致力于為Micr...

2018-11-13 標(biāo)簽：MicroLED 硅基氮化鎵 3642 0

Veeco與ALLOS共同展示200mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品

Veeco Instruments Inc．與 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力...

2018-11-10 標(biāo)簽：Veeco MicroLED 硅基氮化鎵 1509 0

維易科（VEECO）和ALLOS展示行業(yè)領(lǐng)先的200MM硅基氮化鎵性能，推動micro-LED的應(yīng)用

Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光mic...

2018-02-26 標(biāo)簽：氮化鎵 microled 硅基氮化鎵 9920 0

IEMN 結(jié)果顯示ALLOS新型硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過1400V的擊穿電壓

法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術(shù)研究院（IEMN）的最新結(jié)果顯示，ALLOS 即將推出...

2018-02-26 標(biāo)簽：外延片 iemn 硅基氮化鎵 5982 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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