這是一款實(shí)用的雙面接觸式電容壓力傳感器設(shè)計(jì)方案，拿走不謝

雙面接觸式電容壓力傳感器的原理是基于單面接觸式電容壓力傳感器而來的。其工作原理：當(dāng)傳感器的受壓膜片（即梁）與基底距離很近時(shí)，膜片受壓后與基底接觸，當(dāng)壓力...

2018-01-06 標(biāo)簽：壓力傳感器Yageo硅晶片 1.1萬 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽：SiC電磁感應(yīng)硅晶片 6421 0

硅晶片清洗方式的詳細(xì)說明

半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸晃廴?，空氣中含有高度的有機(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些...

2022-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造業(yè)硅晶片 4331 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 4291 0

過氧化氫溶液的作用解讀 在半導(dǎo)體材料制備中硅晶片清洗

引言 過氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...

2022-07-07 標(biāo)簽：芯片硅晶片光刻膠 4134 0

硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對(duì)硅表面的影響，制...

2022-04-26 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 3804 0

如何阻止天線效應(yīng)破壞您的電路

與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。

2021-10-07 標(biāo)簽：集成電路硅晶片 3032 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。

2022-08-26 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 2998 0

光伏硅片的超聲化學(xué)清洗技術(shù)

近年來，太陽能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統(tǒng)中，90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池，具有成本低、面積大、效率較高的優(yōu)點(diǎn)。...

2022-04-12 標(biāo)簽：光伏清洗硅晶片 2576 0

濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

在整個(gè)晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...

2023-03-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2339 0

如何減少硅晶片表面上的金屬雜質(zhì)

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶...

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金屬硅晶片 1976 0

硅濕法蝕刻中的表面活性劑

本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增...

2022-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻硅晶片 1543 0

硅晶片的清洗技術(shù)

摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實(shí)踐，對(duì)高質(zhì)量晶片的需求越來越大。對(duì)于表面上幾乎沒有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機(jī)物的高度潔凈的晶片來說，尤其如此。為...

2022-07-11 標(biāo)簽：硅晶片清洗作業(yè) 1432 0

硅片透蝕MACE化學(xué)鍍金工藝優(yōu)化方案

硅(Si)的深度蝕刻對(duì)于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長(zhǎng)時(shí)間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時(shí)間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標(biāo)簽：晶圓蝕刻硅晶片 1301 0

兩種不同類型的兆頻超聲波清洗方法

兆頻超聲波清洗已被用于去除集成電路器件的硅晶片制造中的缺陷，例如顆粒和聚合物/抗蝕劑殘留物。然而，隨著器件技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮小，兆頻超聲波清洗正面臨著保持高清...

2022-03-30 標(biāo)簽：集成電路超聲波硅晶片 1264 0

300毫米直徑硅片的快速熱處理實(shí)驗(yàn)研究

在半導(dǎo)體熱處理應(yīng)用中，批處理在工業(yè)的早期階段被采用，并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理...

2022-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體熱處理硅晶片 1247 0