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標(biāo)簽 > 硅芯片
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什么構(gòu)成了SoC SoC設(shè)計(jì)流程步驟詳解
ARM架構(gòu)比8051這樣的處理器更節(jié)能,因?yàn)榕c使用CISC架構(gòu)的處理器相比,使用RISC架構(gòu)的處理器需要更少的晶體管。
2021-01-08 標(biāo)簽:soc無線網(wǎng)絡(luò)數(shù)字信號(hào)處理器 1.4萬 0
砷化鎵芯片的制造工藝相對(duì)復(fù)雜,需要使用分子束外延(MBE)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等專門的生長技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對(duì)成熟和簡單,可以使...
本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET。對(duì)于設(shè)計(jì)師而言,關(guān)鍵的問題是FET可能會(huì)經(jīng)受的最大浪涌電流(或預(yù)計(jì)會(huì)限制到輸出)是多大,以及這種浪涌會(huì)持續(xù)多...
氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體, 氮化鎵主要還是用于LED(發(fā)光二極管),微...
系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 是一種用于將多個(gè)集成電路 (IC) 和無源元件捆綁到一個(gè)封裝中的方法,它們?cè)谠摲庋b下協(xié)同工作。這與片上系統(tǒng) (SoC) 形成對(duì)比...
關(guān)于通過高壓創(chuàng)新重新定義電源管理的方案分析
為了持續(xù)滿足未來更高的功效需求,技術(shù)開發(fā)人員必須在減小尺寸、保持可靠性和控制成本的同時(shí),提高集成電路的性能。為滿足這些要求,我們需要對(duì)制造工藝、片上組件...
可實(shí)現(xiàn)高分辨率和高精度的硅芯片溫度傳感器解決方案
工業(yè)應(yīng)用中使用的溫度傳感器種類繁多,各有其優(yōu)缺點(diǎn)。鑒于有許多文本詳細(xì)介紹了各種溫度傳感器的操作,我不再贅述,只是提供一些總結(jié)。
2020-12-08 標(biāo)簽:熱電偶溫度傳感器數(shù)字溫度計(jì) 3747 0
先進(jìn)封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點(diǎn)。先進(jìn)封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點(diǎn)、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等,依托這些技術(shù)的...
2023-09-28 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)SiP技術(shù) 3428 0
精準(zhǔn)的硅芯片溫度檢測(cè)——顯示測(cè)量精度為±0.1°C
熱電偶提供了一種低成本、中等精度的高溫測(cè)量方案。正如Thomas Seebeck在1821年發(fā)現(xiàn)的那樣,它們基于兩個(gè)結(jié)點(diǎn)之間產(chǎn)生的電壓,每個(gè)結(jié)點(diǎn)都由不同...
氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片,它們?cè)谛阅堋?yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和...
在未來十年左右的時(shí)間里,蝕刻在硅基電腦芯片上的電路預(yù)計(jì)就將變得小無可小,從而促使人們尋找替代品來取代硅基芯片的地位。
固態(tài)電氣架構(gòu)的整體優(yōu)勢(shì)
固態(tài)架構(gòu)創(chuàng)新的數(shù)字化特性為擴(kuò)展功能、增加價(jià)值以及集成和擴(kuò)展現(xiàn)有智能建筑系統(tǒng)創(chuàng)造了可能性,例如住宅和商業(yè)安全、商業(yè)消防、門禁和樓宇自動(dòng)化。
IGBT模塊壽命評(píng)估實(shí)驗(yàn)依據(jù)
隨著高速動(dòng)車組列車、電動(dòng)汽車及其充電樁、5G 通信設(shè)備、交直流混合配電網(wǎng)、柔性直流輸電、新能源發(fā)電裝置等這些新興科技的迅猛發(fā)展
2023-06-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTDBC 1808 0
晶圓,是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片,是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料。
多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?又是怎樣制造出來的呢?
硅,我們都知道。但是芯片制程中的硅,有的用的是單晶硅,有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大,那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?有哪些應(yīng)用?又是怎樣制造...
如何對(duì)系統(tǒng)和組件進(jìn)行可靠的封裝是微系統(tǒng)工業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn),因?yàn)槲⑾到y(tǒng)的封裝技術(shù)遠(yuǎn)沒有微電子封裝技術(shù)成熟。微系統(tǒng)封裝在廣義上講有三個(gè)主要的任務(wù):裝配、封裝...
設(shè)計(jì)低能耗嵌入式系統(tǒng)第一部分硅芯片選擇
低能耗待機(jī)狀態(tài)使MCU看上去具有超高能效,但事實(shí)是,只有考慮了控制工作模式功耗的所有因素后才能決定MCU的能效狀況。
2015-07-22 標(biāo)簽:硅芯片 937 0
在摩爾定律持續(xù)放緩、新型計(jì)算平臺(tái)卻要求更高性能的大背景下,電子IC發(fā)展進(jìn)入瓶頸期,光子IC (PIC)逐漸興起。
離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用
在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 標(biāo)簽:CMOSMOSFET驅(qū)動(dòng)器 796 0
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