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標(biāo)簽 > 硅芯片
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構(gòu)建生命支持系統(tǒng)所需的計(jì)算機(jī)芯片并不多
正如澳大利亞Corical Labs首席執(zhí)行官翁永沖先生所解釋的那樣,這全都在于創(chuàng)建能夠?qū)W習(xí)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng),并且只需較少的培訓(xùn)數(shù)據(jù)就可以更快地學(xué)習(xí)。他說,...
2020-07-07 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)系統(tǒng)硅芯片 1514 0
芯片上的大腦:麻省理工研究的新型電子裝置的記憶電阻器設(shè)計(jì)
受此啟發(fā),研究人員將銀與銅結(jié)合在一起,制成膜電阻的正電極,并使用硅制成其負(fù)電極。這種巧妙的設(shè)計(jì)選擇使得離子能夠沿著薄的傳導(dǎo)通道進(jìn)行一致而可靠的傳輸。
可自我修復(fù)和隱藏的硅芯片指紋識(shí)別技術(shù)
新加坡國(guó)立大學(xué)工程學(xué)院電子與計(jì)算機(jī)工程系的研究團(tuán)隊(duì)將硅芯片指紋識(shí)別技術(shù)提升到了一個(gè)新的水平,并取得了兩項(xiàng)重大改進(jìn):第一,使PUF能夠自我修復(fù);第二,使它...
隨著硅光子學(xué)越來越接近計(jì)算,第一波高帶寬設(shè)備的浪潮已經(jīng)圍繞著數(shù)據(jù)中心到數(shù)據(jù)中心的長(zhǎng)距離連接展開。
侵入性較小的超細(xì)電線代替?zhèn)鹘y(tǒng)電極
據(jù)外媒New Atlas報(bào)道,在準(zhǔn)確讀取大腦的電信號(hào)時(shí),許多系統(tǒng)都使用可植入電極。據(jù)報(bào)道,一項(xiàng)新技術(shù)的侵入性較小,但準(zhǔn)確性卻很高,因?yàn)樗梢詫⒊R?guī)電極替...
密歇根大學(xué)團(tuán)隊(duì)將晶體管陣列直接堆疊在硅芯片
用于計(jì)算機(jī)處理器的硅集成電路正在接近單芯片上晶體管的最大可行密度,至少在二維陣列中情況是這樣的。現(xiàn)在,密歇根大學(xué)的一個(gè)工程師團(tuán)隊(duì)已經(jīng)將第二層晶體管直接堆...
美國(guó)發(fā)明了一種新的無線收發(fā)器,5G無線通信標(biāo)準(zhǔn)速度的四倍
這塊4.4毫米見方的硅芯片被其發(fā)明者稱為“端到端收發(fā)器”。由于具有獨(dú)特的數(shù)字模擬結(jié)構(gòu),因此數(shù)字信號(hào)處理速度更快,能源效率更高。該團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新成果發(fā)表在最近...
SkyWater科技的晶圓廠生產(chǎn)出第一批可以匹敵先進(jìn)硅芯片性能的3D納米管晶圓。
據(jù)報(bào)道,日本TDK公司宣布在全球范圍內(nèi)立即推出基于子公司Chirp Microsystems的CH-101 MEMS芯片的超聲波飛行時(shí)間(ToF)傳感器...
新裝置比小拇指指甲還要小片,長(zhǎng)寬各約0.3公分,厚度只有美國(guó)10美分硬幣的一半,帶有金屬光澤。裝置頂部為刻有條紋的鋁材料,寬度比人的頭發(fā)還要小20倍,就...
SpeedPicker SAS系列,是用于處理太陽能電池制造過程中的硅芯片
Manz推出的SpeedPicker SAS系列是全新設(shè)計(jì)的系統(tǒng),特別為太陽能電池生產(chǎn)中的晶硅片的搬運(yùn)處理而定制開發(fā)
如何突破目前“缺芯少魂”的困境,鍛造一顆強(qiáng)健的中國(guó)芯?
如何突破目前“缺芯少魂”的困境,鍛造一顆強(qiáng)健的中國(guó)芯?
蘋果2018年研發(fā)費(fèi)用高達(dá)140億美元
ICCSZ訊 據(jù)外媒報(bào)道,蘋果公司預(yù)計(jì)2018年的研發(fā)費(fèi)用高達(dá)140億美元,在4年時(shí)間里增長(zhǎng)了近2倍,占營(yíng)收比例達(dá)到了14年來最高,這凸顯了蘋果不斷增長(zhǎng)...
入選歐盟H2020計(jì)劃的LOMID于2015年1月啟動(dòng),由Fraunhofer FEP的科學(xué)家負(fù)責(zé)。該項(xiàng)目旨在開發(fā)出新一代大面積OLED微型顯示屏,主要...
格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長(zhǎng)距離SerDes
12月13 日,格羅方德公司今天宣布,已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長(zhǎng)距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASI...
2016-12-15 標(biāo)簽:硅芯片格羅方德14nm FinFET 1593 0
硅芯片已經(jīng) OUT 了?韓國(guó)推出超環(huán)保“紙制芯片”
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,近日韓國(guó)科研人員開發(fā)了一項(xiàng)新技術(shù),能夠讓紙代替硅(Si)基板制作芯片。這一技術(shù)不但可以使得電路價(jià)格大幅降低,還有望改善在電路生產(chǎn)和廢棄過...
在施樂公司(Xerox)的帕洛阿爾托研究中心(Palo Alto Research Center,簡(jiǎn)稱PARC)展示的這項(xiàng)技術(shù),是一種新型電子產(chǎn)品制造系...
硅芯片尺寸的盡頭之爭(zhēng):14nm or 8nm?
近年來,芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”,并有條不紊地進(jìn)行著,直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功,業(yè)界開始有了擔(dān)憂。
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道,新加坡數(shù)據(jù)存儲(chǔ)研究所的魏永強(qiáng)(音譯)和同事首次構(gòu)建出一種由一個(gè)激光器和一個(gè)光柵集成的新型硅芯片.
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