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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 461 0

提高SiC晶圓平整度的方法

提高SiC（碳化硅）晶圓平整度是半導體制造中的一個重要環(huán)節(jié)，以下是一些提高SiC晶圓平整度的方法：一、測量與分析平整度檢測：首先，使用高精度的測量...

2024-12-16 標簽：SiC 碳化硅晶圓檢測 167 0

晶圓單面拋光的裝置及方法

晶圓單面拋光的裝置及方法主要涉及半導體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，以下是對其詳細的介紹：一、晶圓單面拋光裝置晶圓單面拋光裝置通常包含以下關(guān)鍵組件：工作臺：作...

2024-12-12 標簽：半導體碳化硅晶圓檢測 199 0

單面磷化銦晶片的制備方法有哪些？

單面磷化銦晶片的制備方法主要包括以下步驟：一、基本制備流程研磨：采用研磨液對InP（磷化銦）晶片進行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化鋁）和...

2024-12-11 標簽：晶片碳化硅晶圓檢測 94 0

控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法有哪些？

控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法主要包括以下幾種：一、采用先進的拋光設(shè)備和技術(shù) 雙面拋光設(shè)備：使用雙面拋光設(shè)備對晶圓進行加工，這種設(shè)備能同時...

2024-12-10 標簽：半導體晶圓碳化硅 89 0

浮思特|如何通過設(shè)計SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機驅(qū)動熱管理效率?

提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的功率密度是提升電動汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 432 0

碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術(shù)

碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導率、高的擊穿...

2024-12-06 標簽：MOSFET 檢測碳化硅 285 0

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法主要包括以下幾個方面：一、晶圓片制備優(yōu)化多次減薄處理：采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進行多次減薄處理，可...

2024-12-06 標簽：GaN 石英玻璃碳化硅 262 0

大尺寸藍寶石晶圓平坦化的方法有哪些

大尺寸藍寶石晶圓平坦化的方法主要包括以下幾種：一、傳統(tǒng)研磨與拋光方法粗研磨使用研磨墊配合綠碳化硅溶液對藍寶石晶圓進行雙面粗研磨，以去除晶圓表面的...

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改善晶圓出刀TTV異常的加工方法有哪些？

改善晶圓出刀TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化量）異常的加工方法主要包括以下幾種：一、設(shè)備調(diào)整與優(yōu)化主軸與承片...

2024-12-05 標簽：碳化硅測厚半導體晶圓 230 0

SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

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磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅晶片研磨質(zhì)量有哪些影響

磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對這一影響的詳細分析：一、磨料形貌的影響磨料形貌是研磨過程中影響4H...

2024-12-05 標簽：半導體碳化硅晶圓檢測 213 0

怎么制備半導體晶圓片切割刃料？

半導體晶圓片切割刃料的制備是一個復雜而精細的過程，以下是一種典型的制備方法：一、原料準備首先，需要準備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料...

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第三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。以碳化硅（SiC...

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有什么方法可以去除晶圓鍵合邊緣缺陷?

去除晶圓鍵合邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種：一、化學氣相淀積與平坦化工藝方法概述：提供待鍵合的晶圓。利用化學氣相淀積的方法，在晶圓的鍵合面淀積...

2024-12-04 標簽：晶圓鍵合碳化硅 232 0

模塊封裝的關(guān)鍵工藝

區(qū)別于分立器件模塊的制造有一些特別的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如銀燒結(jié)、粗銅線鍵合、端子焊接等。

2024-12-04 標簽：封裝分立器件碳化硅 193 0

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從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們...

2024-11-30 標簽：二極管 MOSFET 半導體 324 0

基本半導體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊解析

隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料具有適合高壓、大功率應用的優(yōu)良特性，在650...

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超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標簽：晶圓脈沖激光碳化硅 182 0

電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏?..

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