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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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不同的氮化鎵襯底的吸附方案,對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中,氮化鎵(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能,在眾多高端芯片制造領(lǐng)域,尤其是光電器件、功率器件等...
安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Sil...
PI公司誠邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講,介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長晶爐順利通過客戶驗(yàn)證
近日,晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅(SiC)電阻式長晶爐順利通過客戶驗(yàn)證,設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗(yàn)收晶錠 技術(shù)創(chuàng)新,引...
2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢洞察
趨勢一:碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,正以迅猛之勢改變著行業(yè)格...
2025-01-08 標(biāo)簽:新能源汽車數(shù)據(jù)中心功率半導(dǎo)體 791 0
安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢
此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹碳...
MG400Q2YMS3 碳化硅 N 溝道 MOSFET 模塊解析:特點(diǎn)與應(yīng)用
隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展,功率電子器件在能源轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N...
基于SiC碳化硅的雙向儲能變流器PCS設(shè)計(jì)
隨著雙向儲能變流器(PCS)朝著高電壓、高效率的趨勢發(fā)展,SiC器件在雙向PCS中開始應(yīng)用。SiC的PCS主電路拓?fù)洳捎每梢杂行Ы档筒⒕W(wǎng)電流諧波的T型三...
天域半導(dǎo)體IPO:國內(nèi)碳化硅外延片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)2024年12月,天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請獲受理。2023年6月,天域半導(dǎo)體向深交所提交上市申請,但在2024年8...
破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)剛剛過去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時(shí),數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人...
2025-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 2373 0
晶體生長相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷
晶體生長在分析晶體生長時(shí),我們需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長的質(zhì)量和進(jìn)程。本文介紹了晶體生長相關(guān)內(nèi)容,包括:雜對晶格硬度變化影響、碳化...
全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控!
BASiC?基半股份一級代理商全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控! 為什么在儲能變流器PCS應(yīng)...
隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大...
2024-12-27 標(biāo)簽:基座碳化硅第三代半導(dǎo)體 139 0
萬年芯:半導(dǎo)體國產(chǎn)替代浪潮,機(jī)遇與挑戰(zhàn)的“加速跑”
半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石,從智能手機(jī)、電腦、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品,到汽車、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域,其重要性不言而喻。近年來,中國半...
英飛凌:30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù),成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴
2024年,全球極端天氣頻發(fā),成為有氣象記錄以來最熱的一年,颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下,推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型,提升發(fā)展的“綠色含量”已...
基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用
近日,由國家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進(jìn)高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會在深圳隆重召開。其中,基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)...
納米銀燒結(jié)技術(shù):SiC半橋模塊的性能飛躍
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。尤其在雷達(dá)...
2024-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 368 0
安森美收購碳化硅JFET技術(shù),強(qiáng)化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司安森美(onsemi)宣布了一項(xiàng)重大收購計(jì)劃,已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,將以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Si...
突發(fā)!涉及碳化硅襯底材料,美國拜登政府對中國生產(chǎn)的成熟制程半導(dǎo)體進(jìn)行301貿(mào)易審查
原創(chuàng) 微安 碳化硅芯觀察 當(dāng)?shù)貢r(shí)間2024年12月23日,美國白宮網(wǎng)站發(fā)布簡報(bào)稱,美國拜登-哈里斯政府對中國生產(chǎn)的成熟制程半導(dǎo)體,基于《貿(mào)易法》301條...
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