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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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納微半導體,作為功率半導體領域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術的引領者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲...
證監會官網最新披露,碳化硅(SiC)領域的領軍企業芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司(簡稱“芯三代”)已在江蘇證監局完成輔導備案登記,計劃首次公開發行...
近日,國內領先的半導體企業芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅(SiC)芯片戰略合作協議。這一協議的達成,標志著雙方在SiC功率模塊...
環旭電子推出創新型150KW功率模組,適用于電動車驅動逆變器
全球電子設計和制造領域的領導者USI環旭電子(上海證券交易所代碼:601231)今日宣布其功率模組團隊正式啟動了一項開創性的聯合設計制造(JDM)項目,...
安森美(onsemi)(納斯達克股票代碼:ON)宣布成立模擬與混合信號事業部(AMG),并由新任命的事業部總裁SudhirGopalswamy領導。
長城汽車零部件董事長鄭立朋、芯動半導體總經理姜佳佳,意法半導體總裁兼首席執行官 Jean-Marc Chery,執行副總裁、中國區總裁曹志平,中國區市場...
英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與...
在全球電力電子領域,英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,標...
在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Gene...
英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術的發展
碳化硅(SiC)技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術,也是要在這個領域提高了MO...
8英寸SiC襯底陣容加速發展 全球8英寸SiC晶圓廠將達11座
近年來,隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續激增,降低SiC成本的呼聲日益強烈,最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結構中占...
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