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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

芯三代半導(dǎo)體啟動(dòng)A股IPO輔導(dǎo),專注碳化硅外延設(shè)備研發(fā)

證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)最新披露,碳化硅(SiC)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司(簡稱“芯三代”)已在江蘇證監(jiān)局完成輔導(dǎo)備案登記,計(jì)劃首次公開發(fā)行...

2024-03-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1920 0

納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動(dòng)電子、電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動(dòng)力

2024-03-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵碳化硅 601 0

芯動(dòng)半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動(dòng)半導(dǎo)體與國際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅(SiC)芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達(dá)成,標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊...

2024-03-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體SiC 540 0

環(huán)旭電子推出創(chuàng)新型150KW功率模組,適用于電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)逆變器

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全球電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者USI環(huán)旭電子(上海證券交易所代碼:601231)今日宣布其功率模組團(tuán)隊(duì)正式啟動(dòng)了一項(xiàng)開創(chuàng)性的聯(lián)合設(shè)計(jì)制造(JDM)項(xiàng)目,...

2024-03-14 標(biāo)簽:電動(dòng)車逆變器碳化硅 1045 0

安森美調(diào)整事業(yè)部結(jié)構(gòu)以擴(kuò)大產(chǎn)品組合并加速增長

安森美(onsemi)(納斯達(dá)克股票代碼:ON)宣布成立模擬與混合信號(hào)事業(yè)部(AMG),并由新任命的事業(yè)部總裁SudhirGopalswamy領(lǐng)導(dǎo)。

2024-03-13 標(biāo)簽:傳感器安森美電源管理 448 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn),下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升

2024-03-13 標(biāo)簽:電源技術(shù)氮化鎵人工智能 893 0

瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢(shì)介紹

瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢(shì)介紹

從汽車到可再生能源,碳化硅(SiC)的一系列場(chǎng)景應(yīng)用正在改變電力電子領(lǐng)域。

2024-03-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 784 0

Wolfspeed問題究竟出在哪里?

Wolfspeed問題究竟出在哪里?

Wolfspeed的市值與其在碳化硅市場(chǎng)的地位和形象嚴(yán)重不符。從本質(zhì)上講,其市場(chǎng)主導(dǎo)地位并未反映在市場(chǎng)估值中。

2024-03-13 標(biāo)簽:SiC碳化硅Wolfspeed 978 0

芯動(dòng)半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在深圳簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議

長城汽車零部件董事長鄭立朋、芯動(dòng)半導(dǎo)體總經(jīng)理姜佳佳,意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery,執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平,中國區(qū)市場(chǎng)...

2024-03-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體直流變換器 678 0

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與...

2024-03-12 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET碳化硅 604 0

英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)

在全球電力電子領(lǐng)域,英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),標(biāo)...

2024-03-12 標(biāo)簽:英飛凌SiC碳化硅 698 0

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2

在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Gene...

2024-03-12 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET碳化硅 748 0

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)的發(fā)展

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碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術(shù),也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MO...

2024-03-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌MOSFET 864 0

新能源汽車性能提升的催化劑:碳化硅技術(shù)

新能源汽車性能提升的催化劑:碳化硅技術(shù)

在新能源汽車的多個(gè)性能指標(biāo)中,電力電子系統(tǒng)尤為關(guān)鍵,它決定了電能的有效管理和利用。而在電力電子系統(tǒng)的核心部件中,碳化硅(SiC)功率模塊以其出色的熱穩(wěn)定...

2024-03-08 標(biāo)簽:新能源汽車電能碳化硅 1376 0

董明珠:格力將投資近百億元建設(shè)碳化硅芯片工廠

這是全球第二座、亞洲第一座全自動(dòng)化化合物芯片工廠。

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8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展 全球8英寸SiC晶圓廠將達(dá)11座

8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展 全球8英寸SiC晶圓廠將達(dá)11座

近年來,隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,降低SiC成本的呼聲日益強(qiáng)烈,最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個(gè)成本結(jié)構(gòu)中占...

2024-03-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶圓 1270 0

碳化硅功率模塊:未來電力電子行業(yè)的變革者

碳化硅功率模塊:未來電力電子行業(yè)的變革者

功率模塊有好幾種類型,常見的比如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率模塊。IGBT適合于高電...

2024-03-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料功率模塊碳化硅 881 0

深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌 重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線

2月27日,深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌儀式在寶安石巖街道舉行。

2024-03-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體碳化硅 811 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迅猛增長:消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動(dòng)

除了智能手機(jī),通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。

2024-03-07 標(biāo)簽:智能手機(jī)SiC氮化鎵 1186 0

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司瞻芯電子完成股份改制

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司瞻芯電子完成股份改制

2024年3月5日,上海瞻芯電子科技有限公司為了適應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營發(fā)展需要,已經(jīng)順利完成股份改制,并獲得上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn),公司名稱正式變更為:上...

2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1160 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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