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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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安森美(onsemi)(納斯達克股票代碼:ON)宣布成立模擬與混合信號事業部(AMG),并由新任命的事業部總裁SudhirGopalswamy領導。
全球第三大汽車制造商 Stellantis 宣布已與半導體制造商簽訂價值 100 億歐元(112 億美元)的合同,確保到 2030 年電動汽車 (EV)...
碳化硅JBS二極管 結勢壘肖特基二極管 UIS前沿感性負載開關能力顯著:開關損耗降低60%
華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎的MOSFET和碳化硅JBS二極管(結勢壘肖特基二極管)。JBS是一種高性能的功率二極管,結合了肖特基二極管(SBD)和...
Nexperia榮獲2024年度全球電子成就獎之年度功率半導體產品獎
在2024年度全球電子成就獎的頒獎典禮上,安世半導體憑借其1200 V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導體領域的卓越表現,榮獲“年度功率半導體產品...
11.3.3 感應電動機驅動∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
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可以看出在SiC襯底方面,ON Semiconductor有GTAT,ST有Norstel,Rohm有SiCrystal,Wolfspeed自己生產Si...
知名碳化硅晶圓和外延片制造商Wolfspeed近期宣布了一項戰略調整決策,決定關閉其位于美國北卡羅來納州達勒姆的6英寸碳化硅晶圓生產設施,以應對成本控制...
納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規認證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFET...
10.1.3 溝槽邊緣終端∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.3溝槽邊緣終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線...
2022-04-07 標簽:碳化硅 413 0
10.2.2 橫向漂移區∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.2.2橫向漂移區10.2單極型器件漂移區的優化設計第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產...
2022-04-11 標簽:碳化硅 413 0
碳化硅是一種高性能的半導體材料。KeepTops的SiC肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可在電力電子技術領域突破硅的極限,成為新能...
Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET,從而簡化熱...
附錄B 雙曲函數的性質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
附錄B雙曲函數的性質附錄《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:器件主控:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型...
2022-05-09 標簽:碳化硅 411 0
近日,中國臺灣和遼寧省分別傳來好消息,兩家新的SiC(碳化硅)襯底工廠正式落成或正在積極推進中,合計年產能將達到7.2萬片。 在中國臺灣,Si...
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