新型碳化硅IGBT器件，首次成功實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電流密度突破50A/cm2

當(dāng)前，碳化硅基功率器件面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管，MOSFET等器件并不能有效地滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用需要，對(duì)IGBT器件的需求日益迫切，必須突...

2020-01-23 標(biāo)簽：電流igbt碳化硅 5895 0

美浦森：我們的碳化硅器件裕量高，產(chǎn)能足

在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀，以及本次展會(huì)展示的特色產(chǎn)品，他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。

2019-12-25 標(biāo)簽：MOSFET功率器件碳化硅 1.3萬(wàn) 0

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間

MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%，有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間

2019-12-18 標(biāo)簽：Maxim柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 983 0

UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件，其RDS（ON）值低至7mΩ

UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器、高功率D...

2019-12-10 標(biāo)簽：FETSiC碳化硅 2068 0

意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)

從材料專(zhuān)業(yè)知識(shí)和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計(jì)制造，意法半導(dǎo)體加強(qiáng)內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)。

2019-12-03 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體SiC 1048 0

Soitec宣布與應(yīng)用材料公司啟動(dòng)聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目，共同開(kāi)發(fā)新一代碳化硅襯底

法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布與應(yīng)用材料公司啟動(dòng)聯(lián)合項(xiàng)目，展開(kāi)對(duì)新一代碳化硅襯底的研發(fā)。

2019-11-19 標(biāo)簽：碳化硅SOITEC應(yīng)用材料公司 941 0

碳化硅的發(fā)現(xiàn)將會(huì)成為更高效的半導(dǎo)體材料

在功率電子學(xué)中，半導(dǎo)體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會(huì)高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應(yīng)用物理快報(bào)...

2019-11-04 標(biāo)簽：電力電子碳化硅 3763 0

SiC的市場(chǎng)格局及其帶來(lái)的工程挑戰(zhàn)

最近幾年，由于MOSFET技術(shù)開(kāi)始被市場(chǎng)所接受，包括心理門(mén)檻和技術(shù)門(mén)檻，SiC市場(chǎng)開(kāi)始了較快地增長(zhǎng)。2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元，該機(jī)構(gòu)預(yù)...

2019-10-16 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 9126 0

青銅劍科技發(fā)布全碳化硅器件解決方案，助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案。

2019-09-27 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)碳化硅青銅劍科技 2565 0

Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷(xiāo)協(xié)議

Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷(xiāo)其最新的半...

2019-09-19 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅貿(mào)澤電子 1017 0

上海市政府就中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽訂合作協(xié)議

為了構(gòu)筑新時(shí)代戰(zhàn)略?xún)?yōu)勢(shì)，更好地服務(wù)改革發(fā)展大局，國(guó)務(wù)院國(guó)資委與上海市政府深化合作共同推進(jìn)落實(shí)國(guó)家戰(zhàn)略合作簽約儀式于9月5日下午在上海隆重舉行，上海市委書(shū)...

2019-09-16 標(biāo)簽：碳化硅 3867 0

SK為擴(kuò)大業(yè)務(wù)，擬4.5億美元收購(gòu)美國(guó)杜邦的碳化硅晶圓業(yè)務(wù)

9月11日消息，據(jù)BusinessKorea報(bào)道，韓國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造商SK Siltron于9月10日宣布，該公司董事會(huì)已批準(zhǔn)以4.5億美元收購(gòu)美國(guó)杜邦...

2019-09-11 標(biāo)簽：碳化硅 4405 0

BASiC SiC Inside! 基本半導(dǎo)體發(fā)展駛?cè)搿翱燔?chē)道”

一輛搭載了基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車(chē)，至今已累計(jì)無(wú)故障行駛120天、運(yùn)行里程超過(guò)1萬(wàn)公里！

2019-09-02 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)肖特基二極管碳化硅 2037 0

華為旗下的華為VC投了山東天岳和杰華特微電子

四個(gè)月前，華為低調(diào)豪擲7億全資控股成立一家投資公司哈勃投資，開(kāi)始涉足VC圈。近日，投資界獲悉，哈勃投資已經(jīng)悄悄投出了兩筆山東天岳和杰華特微電子兩家公司。...

2019-08-27 標(biāo)簽：華為碳化硅杰華特 6641 0

雙雄逐鹿第三代半導(dǎo)體，More Moore之路

2019-08-16 標(biāo)簽：碳化硅拍明芯城 4132 0

碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3億美元

2019-08-15 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1萬(wàn) 0

行業(yè) | 用于工業(yè)和汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)

CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動(dòng)板，其額定溫度為125°C（Ta），它還針對(duì)采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。

2019-08-05 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 4551 0

關(guān)于國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商介紹

司擁有國(guó)際先進(jìn)的德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線(xiàn)、晶圓在片檢測(cè)系統(tǒng)、可靠性測(cè)試系統(tǒng)和應(yīng)用開(kāi)發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，...

2019-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.7萬(wàn) 0

羅姆碳化硅方案在新能源汽車(chē)上的應(yīng)用

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷進(jìn)步，硅作為一種傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足某些市場(chǎng)新需求，第三代半導(dǎo)體材料成為很多客戶(hù)新的選擇。

2019-07-25 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)碳化硅 4464 0