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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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安森美1200V EliteSiC M3e平臺讓平面碳化硅性能拉滿
最近,行業內玩家8英寸碳化硅量產如火如荼的進行中,安森美(onsemi)也計劃于今年晚些時候對8英寸碳化硅晶圓進行認證,并于2025年投入生產。而在柵極...
9.3.2 正向阻斷模式和觸發∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.3.2正向阻斷模式和觸發9.3晶閘管第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FP...
2022-03-28 標簽:碳化硅 312 0
9.3.1 正向導通模式∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.3.1正向導通模式9.3晶閘管第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAP...
2022-03-30 標簽:碳化硅 308 0
近日,蔚來旗下全新品牌樂道推出了其首款車型——樂道L60。作為同級別車型中的佼佼者,樂道L60采用了全域900V高壓平臺架構,并搭載了蔚來自研的1200...
英飛凌馬來西亞居林第三廠區啟用,未來將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠
日前英飛凌宣布,其位于馬來西亞的居林第三廠區(Kulim 3)一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅(SiC)功率半導體的生產,也將關注氮化鎵(GaN)外圍晶圓...
10.1.2 二維電場集中和結的曲率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.2二維電場集中和結的曲率10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》...
2022-04-08 標簽:碳化硅 300 0
SiC(碳化硅)功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制...
碳化硅(SiC)肖特基二極管行業全景調研及投資價值戰略咨詢報告
根據Global Info Research項目團隊最新調研,預計2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產值達到2249百萬美元,2024-20...
英飛凌科技持續擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署...
全球碳化硅(SiC)項目獲巨額資助,歐盟韓國聯手推動產業化進程
在近期全球半導體產業格局的變革中,碳化硅(SiC)項目迎來了一輪顯著的資金支持。歐盟和韓國紛紛加大投入,累計超過11億人民幣的資金將用于推動SiC技術的...
汽車一直是碳化硅(SiC)的主要應用市場。在整個汽車半導體供需發生改變的情況下,碳化硅是否還會延續此前供不應求的市場行情?
當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業高速發展。其中,新能源汽車市場的快速發展是第三代半導體技術推進的重要動力之一,新能源汽車...
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