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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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相較于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能優(yōu)勢十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優(yōu)勢卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模,主要的原因就出在...
徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)簽約9個集成電路類重大項目 總投資達160余億元
近年大陸積極推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,除了大力扶持本土業(yè)者、打造產(chǎn)業(yè)鏈之外,并爭取海外半導體廠商投入。昨(25)日有消息傳出,臺灣地區(qū)上市公司強茂在江蘇省徐州...
e絡(luò)盟社區(qū)發(fā)布最新技術(shù)專題文章 快速了解電子行業(yè)最新動態(tài)
全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商e絡(luò)盟宣布將在其社區(qū)平臺,即全球最大的電子設(shè)計社區(qū)e絡(luò)盟社區(qū)發(fā)布一系列全新技術(shù)專題文章,每兩月發(fā)布一期,以幫助工程師社區(qū)成...
行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如,數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3...
碳化硅(SiC)材料一直被視為半導體器件的最佳材料,隨著科學技術(shù)的日新月異以及新能源的快速發(fā)展,它被廣泛使用于各個領(lǐng)域,整個市場對它的需求也與日俱增。 ...
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱...
3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導體參展PCIM Asia引關(guān)注
6月26日-28日,基本半導體成功參展PCIMAsia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。 基本半導體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色...
貿(mào)澤電子備貨Qorvo的QPD1025L碳化硅基氮化鎵晶體管
QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW,是業(yè)界功率最高的碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC)射頻晶體管,提供高信號完整性和長覆蓋距離,...
美高森美宣布推出極低電感SP6LI封裝 可同時高電流、高開關(guān)頻率和高效率
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導體技術(shù)方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號...
英飛凌攜手用“芯“創(chuàng)造美好未來 淺談碳化硅發(fā)展
2018年5月16日,“2018英飛凌碳化硅發(fā)展論壇”在深圳順利落幕。
美高森美繼續(xù)擴大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導體技術(shù)方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號...
創(chuàng)“芯”驅(qū)動,引領(lǐng)未來——青銅劍科技成功參展PCIM Asia
6月28日,為期三天的2018 PCIMAsia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會正式閉幕。這場電力電子行業(yè)盛宴吸引了行業(yè)內(nèi)的諸多關(guān)注,青銅劍科技再...
2018-07-02 標簽:MOSFETIGBTIGBT驅(qū)動 879 0
美高森美公司發(fā)布極低電感封裝,專用于公司SP6LI產(chǎn)品系列
美高森美公司(Microsemi) 發(fā)布專門用于高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專...
上海大革使用自行研發(fā)成功的全碳化硅模塊成功研發(fā)50kw,100kw,350kw新能源汽車中壓快速充電樁。使用新型全碳化硅模塊快速充電樁,不僅體積小巧,投...
英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本
大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有...
產(chǎn)業(yè)研用四方將齊聚張家港 共話第三代半導體
以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶、高熱導率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點,在許多應用領(lǐng)域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優(yōu)點,有望突...
大聯(lián)大品佳集團推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET,可為系統(tǒng)實現(xiàn)功率密度和性能上的突破
大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水...
科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示:“英飛凌具有很好的美譽度,是我們長期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項協(xié)議的簽署,體現(xiàn)了科銳SiC碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和...
Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET
全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出...
2018-03-19 標簽:apeclittelfuse碳化硅 6143 0
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