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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣...
我國發(fā)展碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料的機遇與挑戰(zhàn)
迄今為止, 在碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域,國際標準、國家標準、行業(yè)標準經(jīng)過統(tǒng)計共有16項,遠遠滯后于該行業(yè)的發(fā)展,這對整個市場的秩序及行業(yè)的發(fā)展是很不利的,因此標...
碳化硅MOSFET器件的特性優(yōu)勢與發(fā)展瓶頸!
碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域,受到大家的喜愛,不斷地推陳出新,大量的更高電壓等級、更大電流等級的產(chǎn)品相繼推出,市場反應(yīng)碳化硅元器件的...
基本半導(dǎo)體參與制定第三代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖
第三代半導(dǎo)體是下一代綠色新型材料之一,擁有巨大的應(yīng)用市場,以碳化硅器件為例,其市場容量正以每年25~39%的速度增長,預(yù)計到2020年整個碳化硅器件的市...
2017-11-24 標簽:碳化硅 971 0
基本半導(dǎo)體參加2017中國半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇
近日,第十一屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件年會暨2017中國半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在西安順利舉行,深圳基本半導(dǎo)體有限公司作為支持單位參與了...
碳化硅功率器件時代來臨,基本半導(dǎo)體亮相PCIMAsia
日前,致力于碳化硅功率器件技術(shù)創(chuàng)新的深圳基本半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱基本半導(dǎo)體)成功參展2017國際電力電子元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asi...
英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號
2017年6月30日,德國慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公...
美高森美和Analog Devices公司在可擴展碳化硅MOSFET驅(qū)動器解決方案領(lǐng)域展開合作 以加快客戶設(shè)計和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號...
5G通信技術(shù)進一步引領(lǐng)新興半導(dǎo)體市場規(guī)模
半導(dǎo)體材料升級換代。作為集成電路發(fā)展基礎(chǔ),半導(dǎo)體材料逐步更新?lián)Q代,第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為主導(dǎo),目前,95%的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路都...
2017-03-16 標簽:半導(dǎo)體材料碳化硅5G 2570 0
Littelfuse 增加對碳化硅技術(shù)初創(chuàng)公司 Monolith 投資
Littelfuse, Inc.于今天宣布其向 Monolith Semiconductor 公司增加 1500 萬美元的投資。Monolith Sem...
2017-03-10 標簽:littelfuse碳化硅 1161 0
由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用,其應(yīng)用市場規(guī)模要大于中高功率,因此Yole預(yù)估,氮化鎵組件2015年~2021年的成長率將達83%,其中電源供應(yīng)器將占相當大...
由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用,歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略,投入巨資支持發(fā)展。本文將對第...
過去幾年來,碳化硅(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長,成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動此項市場發(fā)展的力量包括下列趨勢:節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...
2016-11-14 標簽:igbtSiC功率半導(dǎo)體 1935 0
英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù),助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計達到前所未有的效率和性能
2016年5月10日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技...
Littelfuse將在2016年P(guān)CIM Europe展會上展示“保護,控制,傳感”市場應(yīng)用解決方案
中國,北京,2016年5月12日訊 - Littelfuse公司作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),將出席2016年5月10-12日在德國紐倫堡舉行的2...
2016-05-10 標簽:二極管碳化硅硅IGBT技術(shù) 568 0
CISSOID 向 Thales 交付首個碳化硅( SiC )智能功率模塊
比利時,蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布,向 Thales Avion...
日前,碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?...
2015-09-06 標簽:功率模塊碳化硅CAS300M12BM2 1548 0
新一代功率半導(dǎo)體:多個領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
最近幾年,在半導(dǎo)體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點...
2014-02-04 標簽:晶體管功率半導(dǎo)體碳化硅 1584 0
我國第三代半導(dǎo)體首次實現(xiàn)量產(chǎn)
中國首次實現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國的能源危機。
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